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1. (WO2011022329) METHODS FOR DISTINGUISHING A SET OF HIGHLY DOPED REGIONS FROM A SET OF LIGHTLY DOPED REGIONS ON A SILICON SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/022329    International Application No.:    PCT/US2010/045614
Publication Date: 24.02.2011 International Filing Date: 16.08.2010
IPC:
H01L 21/22 (2006.01), C30B 15/04 (2006.01)
Applicants: INNOVALIGHT, INC. [US/US]; 965 East Arques Avenue Sunnyvale, CA 94085 (US) (For All Designated States Except US).
KELMAN, Maxim [US/US]; (US) (For US Only).
SCARDERA, Giuseppe [CA/US]; (US) (For US Only)
Inventors: KELMAN, Maxim; (US).
SCARDERA, Giuseppe; (US)
Agent: MAEBIUS, Stephen, B.; Foley & Lardner LLP 3000 K Street, NW Suite 600 Washington, DC 20007 (US)
Priority Data:
12/544,713 20.08.2009 US
Title (EN) METHODS FOR DISTINGUISHING A SET OF HIGHLY DOPED REGIONS FROM A SET OF LIGHTLY DOPED REGIONS ON A SILICON SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉS DE DISTINCTION D'UN ENSEMBLE DE RÉGIONS FORTEMENT DOPÉES PARMI UN ENSEMBLE DE RÉGIONS LÉGÈREMENT DOPÉES SUR UN SUBSTRAT DE SILICIUM
Abstract: front page image
(EN)A method of distinguishing a set of highly doped regions from a set of lightly doped regions on a silicon substrate is disclosed. The method includes providing the silicon substrate, the silicon substrate configured with the set of lightly doped regions and the set of highly doped regions. The method further includes illuminating the silicon substrate with an electromagnetic radiation source, the electromagnetic radiation source transmitting a wavelength of light above about 1100 nm. The method also includes measuring a wavelength absorption of the set of lightly doped regions and the set of heavily doped regions with a sensor, wherein for any wavelength above about 1100 nm, the percentage absorption of the wavelength in the lightly doped regions is substantially less than the percentage absorption of the wavelength in the heavily doped regions.
(FR)La présente invention concerne un procédé de distinction d'un ensemble de régions fortement dopées parmi un ensemble de régions légèrement dopées sur un substrat de silicium. Ce procédé comprend l'utilisation d'un substrat de silicium, ce substrat de silicium étant configuré avec l'ensemble de régions légèrement dopées et l'ensemble de régions fortement dopées. Ce procédé comprend en outre l'éclairage du substrat de silicium avec une source de rayonnement électromagnétique, cette source de rayonnement électromagnétique transmettant une longueur d'onde de la lumière supérieure à environ 1100 nm. Ce procédé comprend également la mesure de l'absorption de la longueur d'onde de l'ensemble de régions légèrement dopées et de l'ensemble de régions fortement dopées avec un capteur. Pour toute longueur d'onde supérieure à environ 1100 nm, le pourcentage d'absorption de la longueur d'onde dans les régions légèrement dopées est sensiblement inférieur au pourcentage d'absorption de la longueur d'onde dans les régions fortement dopées.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)