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1. (WO2011021573) PATTERN FORMING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/021573    International Application No.:    PCT/JP2010/063719
Publication Date: 24.02.2011 International Filing Date: 12.08.2010
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), B29C 59/02 (2006.01)
Applicants: JSR Corporation [JP/JP]; 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640 (JP) (For All Designated States Except US).
TOYOKAWA Fumihiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OKAMOTO Masashi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NISHIMURA Yukio [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TOYOKAWA Fumihiro; (JP).
OKAMOTO Masashi; (JP).
NISHIMURA Yukio; (JP)
Agent: KOJIMA Seiji; JINGUHIGASHI ATSUTA Bldg., 4F., 8-20, Jingu 3-chome, Atsuta-ku, Nagoya-shi, Aichi 4560031 (JP)
Priority Data:
2009-188683 17.08.2009 JP
Title (EN) PATTERN FORMING METHOD
(FR) PROCÉDÉS DE FORMATION DE MOTIF
(JA) パターン形成方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a pattern forming method which is capable of suppressing separation of a resist film. The pattern forming method comprises: a first resin layer forming step (1) wherein a first resin layer (31), which is mainly composed of an organic polymer, is formed on a substrate (20); a second resin layer forming step (2) wherein a second resin layer (32), which is mainly composed of an organic polymer, is formed on the surface of the first resin layer (31); a recessed portion forming step (PR3) wherein a stamper having a projected portion is pressed against the second resin layer (32) and separated therefrom, thereby forming a recessed portion (321) in the second resin layer (32); a filled portion forming step (PR4) wherein a filled portion (33), which is mainly composed of an inorganic polymer, is formed within the recessed portion (321); and an etching step (PR5) wherein the first resin layer (31) and the second resin layer (32) are etched using the filled portion (33) as a mask.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation de motif capable de supprimer la séparation d'un film de résine photosensible. Ce procédé comprend : une première étape de formation de couche de résine (1) pendant laquelle un première couche de résine (31), principalement constituée d'un polymère organique, est formée sur un substrat (20) ; une seconde étape de formation de couche de résine (2) pendant laquelle une seconde couche de résine (32), qui est principalement composée d'un polymère organique, est formée sur la surface de la première couche de résine (31) ; une étape de formation de partie creuse (PR3) pendant laquelle une matrice d'estampage comportant une partie saillante est pressée contre la seconde couche de résine (32) et séparée de celle-ci, pour ainsi former une partie creuse (321) dans la seconde couche de résine (32) ; une étape de formation de partie pleine (PR4) pendant laquelle une partie pleine (33), qui est principalement composée d'un polymère inorganique, est formée à l'intérieur de la partie creuse (321) ; et une étape de gravure (PR5) pendant laquelle la première couche de résine (31) et la seconde couche de résine (32) sont gravées au moyen de la partie pleine (33) servant de masque.
(JA)本発明の目的は、レジスト膜のはがれを抑制できるパターン形成方法を提供することである。即ち、本パターン形成方法は、基板20上に、有機高分子を主成分とする第1樹脂層31を形成する第1樹脂層形成工程(1)と、前記第1樹脂層31の表面に、有機高分子を主成分とする第2樹脂層32を形成する第2樹脂層形成工程(2)と、前記第2樹脂層32に凸部を有するスタンパを圧接、脱離して、前記第2樹脂層32に凹部321を形成する凹部形成工程(PR3)と、前記凹部321内に無機高分子を主成分とする充填部33を形成する充填部形成工程(PR4)と、前記充填部33をマスクとして、前記第1樹脂層31及び前記第2樹脂層32をエッチングするエッチング工程(PR5)と、を備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)