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Pub. No.:    WO/2011/021413    International Application No.:    PCT/JP2010/058019
Publication Date: 24.02.2011 International Filing Date: 12.05.2010
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/337 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/80 (2006.01), H01L 29/808 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (For All Designated States Except US).
MASUDA, Takeyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HONAGA, Misako [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MASUDA, Takeyoshi; (JP).
HONAGA, Misako; (JP)
Agent: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office, Nakanoshima Central Tower, 22nd Floor, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2009-189152 18.08.2009 JP
(JA) 半導体装置
Abstract: front page image
(EN)An MOSFET that is a semiconductor device having stable pressure resistance and capable of reducing on-resistance is provided with an SiC wafer the conductivity type of which is n-type, a plurality of p bodies (21) the conductivity type of which is p-type and which are formed so as to include a first principal surface (20A) of the SiC wafer, and an n+ source region (22) the conductivity type of which is n-type and which is formed in a region surrounded by each of the plurality of p bodies (21) when seen in plan view. The p body (21) has a circular shape when seen in plan view, and the n+ source region (22) has a circular shape disposed concentrically with the p body (21) when seen in plan view. The plurality of p bodies (21) are disposed so as to be located at respective vertexes of a regular hexagon when seen in plan view.
(FR)La présente invention concerne un MOSFET, c'est-à-dire un dispositif à semi-conducteur ayant une résistance à la pression stable et capable de réduire la résistance à l'état passant, comportant une tranche de SiC dont le type de conductivité est le type n, une pluralité de corps p (21) dont le type de conductivité est le type p et qui sont formés de manière à comprendre une première surface principale (20A) de la tranche SiC, et une région source n+ (22) dont le type de conductivité est le type n et qui est formée dans une région entourée par chacun des corps de la pluralité de corps p (21) selon une vue en plan. Le corps p (21) a une forme circulaire en plan, et la région source n+ (22) a une forme circulaire, disposée de façon à être concentrique par rapport au corps p (21) dans une vue en plan. La pluralité de corps p (21) sont disposés de manière à être placés aux sommets respectifs d'un hexagone régulier dans une vue en plan.
(JA) 耐圧が安定するとともにオン抵抗を低減することが可能な半導体装置であるMOSFETは、導電型がn型であるSiCウェハと、SiCウェハの第1の主表面(20A)を含むように形成された導電型がp型の複数のpボディ(21)と、平面的に見て複数のpボディ(21)のそれぞれに取り囲まれる領域内に形成された導電型がn型のnソース領域(22)とを備えている。pボディ(21)は、平面的に見て円形形状を有しており、nソース領域(22)は、平面的に見てpボディ(21)と同心に配置された円形形状を有している。そして、複数のpボディ(21)は、平面的に見て正六角形の各頂点に位置するように配置されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)