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1. (WO2011021343) ORGANIC EL ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/021343    International Application No.:    PCT/JP2010/004471
Publication Date: 24.02.2011 International Filing Date: 09.07.2010
H01L 51/50 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 27/32 (2006.01), H05B 33/10 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
OHUCHI, Satoru; (For US Only).
TSUKAMOTO, Yoshiaki; (For US Only).
KOMATSU, Takahiro; (For US Only).
SAKANOUE, Kei; (For US Only)
Inventors: OHUCHI, Satoru; .
TSUKAMOTO, Yoshiaki; .
KOMATSU, Takahiro; .
Agent: NAKAJIMA, Shiro; 6F, Yodogawa 5-Bankan 2-1, Toyosaki 3-chome Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5310072 (JP)
Priority Data:
2009-189658 19.08.2009 JP
(JA) 有機EL素子
Abstract: front page image
(EN)Provided is an organic EL element which withstands processes for mass-producing organic EL display panels, achieves excellent hole-injection efficiency, is driven at a low voltage, and has high luminance efficiency. Specifically, an organic EL element (1) is formed by sequentially laminating an anode (2), a hole injection layer (3), a buffer layer (4), an emission layer (5) and a cathode (6) on one surface of a substrate (10). On the surface of the hole injection layer (3), a bank (12) is formed in such a manner as to surround a structure corresponding to layers including and above the buffer layer (4). The hole injection layer (3) is formed by sputter-depositing a thin film of tungsten oxide. In the sputter-deposition, the film is formed so that tungsten oxide may have an electronic state in which the occupied level is within a range of binding energies that is lower by 1.8 - 3.6 eV than the lowest binding energy in the valence band thereof. Thus, the barrier for hole injection into the above buffer layer is lowered.
(FR)L'invention porte sur un élément électroluminescent organique assistant des procédés de fabrication de panneaux d'affichage électroluminescents organiques, permettant d'obtenir une excellente efficacité d'injection de trou, commandé à basse tension, et possédant une efficacité élevée de luminance. Spécifiquement, un élément électroluminescent organique (1) est formé par stratification séquentielle d'une anode (2), d'une couche d'injection de trou (3), d'une couche tampon (4), d'une couche d'émission (5) et d'une cathode (6) sur la surface d'un substrat (10). Sur la surface de la couche d'injection de trou (3), on dispose un bloc (12) de telle sorte qu'il entoure une structure correspondant à des couches comprenant la couche tampon (4) et au-dessus de celle-ci. La couche d'injection de trou (3) est formée par dépôt par pulvérisation cathodique d'un film mince d'oxyde de tungstène. Dans le dépôt par pulvérisation cathodique, le film est formé de telle sorte que l'oxyde de tungstène peut avoir un état électronique dans lequel le niveau occupé est dans une plage d'énergie de liaison qui est inférieure de 1,8 à 3,6 eV à l'énergie de liaison la plus faible dans la bande de valence de celui-ci. On abaisse ainsi la barrière pour l'injection de trou dans la couche tampon ci-dessus.
(JA) 本発明は、有機ELディスプレイパネルの量産プロセスに耐え、かつ、優れたホール注入効率を実現し、低電圧駆動で高い発光効率を持つ有機EL素子を提供する。具体的には基板10の片面に、陽極2、ホール注入層3、バッファ層4、発光層5、陰極6を順次積層して有機EL素子1を構成する。ホール注入層3の表面に、前記バッファ層4以上の構成を取り囲むようにバンク12を形成する。ホール注入層3は酸化タングステン薄膜をスパッタ成膜して形成する。このとき、酸化タングステンをその電子状態において、価電子帯で最も低い結合エネルギーよりも1.8~3.6eV低い結合エネルギーの範囲内に占有準位を存在させるように成膜し、前記バッファ層対するホール注入障壁を低減する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)