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1. (WO2011020124) BACKSIDE ONLY CONTACT THIN-FILM SOLAR CELLS AND DEVICES, SYSTEMS AND METHODS OF FABRICATING SAME, AND PRODUCTS PRODUCED BY PROCESSES THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/020124    International Application No.:    PCT/US2010/045672
Publication Date: 17.02.2011 International Filing Date: 16.08.2010
IPC:
H01L 31/042 (2006.01), H01L 31/0216 (2006.01)
Applicants: GIGASI SOLAR, INC. [US/US]; 3720 Appian Street Pleasanton, CA 94588 (US) (For All Designated States Except US).
PRABHAKAR, Venkatraman [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: PRABHAKAR, Venkatraman; (US)
Agent: SCHWAAB, Andrew, B.; DLA Piper LLP US 2000 University Avenue East Palo Alto, CA 95404 (US)
Priority Data:
61/274,259 14.08.2009 US (Priority Withdrawn 31.01.2012)
Title (EN) BACKSIDE ONLY CONTACT THIN-FILM SOLAR CELLS AND DEVICES, SYSTEMS AND METHODS OF FABRICATING SAME, AND PRODUCTS PRODUCED BY PROCESSES THEREOF
(FR) DISPOSITIFS ET CELLULES SOLAIRES À FILM MINCE AYANT UNIQUEMENT DES CONTACTS AU DOS, SYSTÈMES ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION, ET PRODUITS FABRIQUÉS PAR DES PROCESSUS DES PROCÉDÉS
Abstract: front page image
(EN)Systems, methods, devices, and products of processes consistent with the innovations herein relate to thin-film solar cells having contacts on the backside, only. In one exemplary implementation, there is provided a thin film device. Moreover, such device may comprise a substrate, and a layer of silicon or silicon-containing material positioned on a first side of the substrate, wherein the layer comprises a n-doped region and a p-doped region. In some exemplary implementations, the device may be fabricated such that the n-doped region and the p-doped region are formed on the backside surface of the layer to create an electrical structure characterized by a P-type anode and an N-type cathode forming a junction positioned along the backside surface of the layer.
(FR)Des systèmes, procédés, dispositifs et produits de processus cohérents avec les innovations concernent ici des cellules solaires à film mince ayant uniquement des contacts au dos. Une implémentation donnée à titre d'exemple concerne un dispositif à film mince. Par ailleurs, un tel dispositif peut comprendre un substrat et une couche de silicium ou d'un matériau contenant du silicium positionnée sur une première face du substrat, la couche comprenant une région dopée n et une région dopée p. Dans certaines implémentations données à titre d'exemple, le dispositif peut être fabriqué de sorte que la région dopée n et la région dopée p soient formées sur la surface au dos de la couche afin de créer une structure électrique caractérisée par une anode de type P et une cathode de type N formant une jonction positionnée sur la surface au dos de la couche.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)