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1. (WO2011020085) DYNAMIC SWITCH DRIVER FOR LOW-DISTORTION PROGRAMMABLE-GAIN AMPLIFIER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/020085    International Application No.:    PCT/US2010/045585
Publication Date: 17.02.2011 International Filing Date: 16.08.2010
IPC:
H03G 1/00 (2006.01), H03K 17/06 (2006.01)
Applicants: THAT CORPORATION [US/US]; 45 Sumner Road Milford, Massachusetts 01757 (US) (For All Designated States Except US).
HEBERT, Gary, K. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: HEBERT, Gary, K.; (US)
Agent: KUSMER, Toby, H.; McDermott Will & Emery LLP 28 State Street Boston, Massachusetts 02109 (US)
Priority Data:
61/234,039 14.08.2009 US
61/234,031 14.08.2009 US
Title (EN) DYNAMIC SWITCH DRIVER FOR LOW-DISTORTION PROGRAMMABLE-GAIN AMPLIFIER
(FR) PILOTE DE COMMUTATION DYNAMIQUE POUR AMPLIFICATEUR À GAIN PROGRAMMABLE PRÉSENTANT UNE FAIBLE DISTORSION
Abstract: front page image
(EN)A switching circuit for switching a time-varying input signal, the switching circuit comprising: at least one switch including a N-channel MOSFETMB) and a P-channel MOSFE(MA), each having a gate configured to receive a drive signal to change the ON/OFF state of the switch; and a drive circuit (5DC) configured and arranged so as to selectively apply a pair of drive signals to change the ON/OFF state of the switch, the drive circuit being configured and arranged to generate the drive signals as a function of (a) a pair DC signal components sufficient to change the ON/OFF state of the switch and (b) a pair of time-varying signal components (Vonn,Vonp) as at least a partial replica of the signal present on the source terminal of each MOSFET so that when applied with the DC signals to the gates of the n-channel MOSFET and p-channel MOSFET respectively, the drive signals will be at the appropriate level to maintain the ON/OFF state of the switch and keep the gate-source voltages of each MOSFET within the gate-source breakdown limit of the MOSFETs.
(FR)L'invention concerne un circuit de commutation servant à commuter un signal d'entrée variable dans le temps, ce circuit de commutation comprenant: au moins un commutateur incluant un MOSFET(MB) de canal N et un MOSFET(MA)de canal P, chacun de ceux-ci comportant une grille conçue pour recevoir un signal d'attaque servant à changer l'état de MARCHE/ARRET du commutateur; et un circuit d'attaque (5DC) conçu et installé afin d'appliquer sélectivement deux signaux d'attaque servant à changer l'état de MARCHE/ARRET du commutateur, le circuit d'attaque étant conçu et installé afin de produire les signaux d'attaque en fonction de (a) deux composantes de signal de CC suffisantes pour changer l'état de MARCHE/ARRET du commutateur, et de (b) deux composantes d'un signal variable dans le temps (Vonn,Vonp) constituant au moins une reproduction partielle du signal présent sur la borne source de chaque MOSFET, de sorte que lorsqu'ils sont appliqués avec les signaux de CC aux grilles du MOSFET de canal N et du MOSFET de canal P, respectivement, les signaux d'attaque présenteront le niveau approprié pour maintenir l'état de MARCHE/ARRET du commutateur et garder les tensions de grille-source de chaque MOSFET dans la limite de claquage de grille-source des MOSFET.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)