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1. (WO2011019950) SYSTEMS AND METHODS FOR THIN-FILM DEPOSITION OF METAL OXIDES USING EXCITED NITROGEN-OXYGEN SPECIES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/019950    International Application No.:    PCT/US2010/045368
Publication Date: 17.02.2011 International Filing Date: 12.08.2010
IPC:
C23C 16/40 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), C23C 16/52 (2006.01), C01B 13/11 (2006.01)
Applicants: ASM AMERICA, INC. [US/US]; 3440 E. University Drive Phoenix, AZ 85034 (US) (For All Designated States Except US).
SHERO, Eric [US/US]; (US) (For US Only).
RAISANEN, Petri [FI/US]; (US) (For US Only).
JUNG, Sung, Hoon [KR/US]; (US) (For US Only).
WANG, Chang-Gong [CN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SHERO, Eric; (US).
RAISANEN, Petri; (US).
JUNG, Sung, Hoon; (US).
WANG, Chang-Gong; (US)
Agent: MOSS, Allen; Squire, Sanders & Dempsey L.L.P. Two Renaissance Square 40 North Central Avenue, Suite 2700 Phoenix, AZ 85004-4498 (US)
Priority Data:
61/332,600 07.05.2010 US
61/234,017 14.08.2009 US
12/854,818 11.08.2010 US
Title (EN) SYSTEMS AND METHODS FOR THIN-FILM DEPOSITION OF METAL OXIDES USING EXCITED NITROGEN-OXYGEN SPECIES
(FR) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE DÉPÔT DE COUCHES MINCES D'OXYDES MÉTALLIQUES UTILISANT DES ESPÈCES EXCITÉES DE L'OXYGÈNE ET DE L'AZOTE
Abstract: front page image
(EN)Systems and methods are delineated which, among other things, are for depositing a film on a substrate that is within a reaction chamber. In an exemplary method, the method may comprise applying an atomic layer deposition cycle to the substrate, wherein the cycle may comprise exposing the substrate to a precursor gas for a precursor pulse interval and then removing the precursor gas thereafter, and exposing the substrate to an oxidizer comprising an oxidant gas and a nitrogen-containing species gas for an oxidation pulse interval and then removing the oxidizer thereafter. Aspects of the present invention utilize molecular and excited nitrogen-oxygen radical/ionic species in possible further combination with oxidizers such as ozone. Embodiments of the present invention also include electronic components and systems that include devices fabricated with methods consistent with the present invention.
(FR)La présente invention concerne des systèmes et des procédés destinés à, entre autres choses, déposer un film sur un substrat qui se trouve à l'intérieur d'une chambre de réaction. Dans un procédé donné à tire d'exemple, le procédé peut comprendre les étapes consistant à appliquer un cycle de dépôt de couche atomique sur le substrat, le cycle pouvant comprendre l'étape consistant à exposer le substrat à un gaz précurseur pendant un intervalle de séparation des impulsions du précurseur et à éliminer ensuite le gaz précurseur après ceci, et à exposer le substrat à un oxydant comprenant un gaz oxydant et une espèce gazeuse contenant de l'azote pendant un intervalle de séparation des impulsions d'oxydation et à éliminer ensuite l'oxydant après ceci. Certains aspects de la présente invention utilisent des espèces radicalaires/ioniques de l'oxygène et de l'azote moléculaires et excités en association de plus, si possible, avec des oxydants tels que l'ozone. Les modes de réalisation de la présente invention comprennent également des composants et des systèmes électroniques comprenant des dispositifs fabriqués avec des procédés en accord avec la présente invention.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)