WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2011019887) WAVEGUIDE COUPLER HAVING CONTINUOUS THREE-DIMENSIONAL TAPERING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/019887    International Application No.:    PCT/US2010/045285
Publication Date: 17.02.2011 International Filing Date: 12.08.2010
IPC:
G02B 6/26 (2006.01), G02B 6/12 (2006.01)
Applicants: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue Cambridge, MA 02139 (US) (For All Designated States Except US).
SPECTOR, Steven, Jay [US/US]; (US) (For US Only).
SWINT, Reuel, Bennett [US/US]; (US) (For All Designated States Except US).
TWICHELL, Jonathan, C. [US/US]; (US) (For All Designated States Except US).
JUODAWLKIS, Paul, W. [US/US]; (US) (For All Designated States Except US).
POPOVIC, Milos [CA/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SPECTOR, Steven, Jay; (US).
SWINT, Reuel, Bennett; (US).
TWICHELL, Jonathan, C.; (US).
JUODAWLKIS, Paul, W.; (US).
POPOVIC, Milos; (US)
Agent: LOBER, Theresa, A.; T. A. Lober Patent Services 45 Walden Street Concord, MA 01742 (US)
Priority Data:
61/274,278 14.08.2009 US
Title (EN) WAVEGUIDE COUPLER HAVING CONTINUOUS THREE-DIMENSIONAL TAPERING
(FR) COUPLEUR DE GUIDES D'ONDES PRÉSENTANT UN AMINCISSEMENT TRIDIMENSIONNEL CONTINU
Abstract: front page image
(EN)A solid state waveguide coupler is provided including a first coupler end disposed on a solid state material substrate for connection to a first solid state waveguide located on the substrate and a second coupler end disposed on the substrate for connection to a second waveguide located on the substrate. A coupling span, comprising a waveguide material layer on the substrate, is disposed between the first and second coupler ends and tapers between a height of the first waveguide and a height of the second waveguide, tapers between a width of the first waveguide and a width of the second waveguide, and includes curved sidewalls along at least a portion of the tapered coupling span. In a method for fabricating the waveguide coupler, material is isotropically removed from a waveguide material layer on the substrate to produce tapered surfaces between the first waveguide and the second waveguide.
(FR)L'invention concerne un coupleur de guides d'ondes à semi-conducteurs comprenant une première extrémité de coupleur placée sur un substrat en matériau à semi-conducteurs et destinée à assurer la connexion à un premier guide d'ondes à semi-conducteurs situé sur le substrat, et une seconde extrémité de coupleur placée sur le substrat et destinée à assurer la connexion à un second guide d'ondes situé sur le substrat. Une étendue de couplage, qui comprend une couche de matériau de guide d'ondes disposée sur le substrat, se trouve entre la première et la seconde extrémité de coupleur et s'amincit entre une hauteur du premier guide d'ondes et une hauteur du second guide d'ondes, ainsi qu'entre une largeur du premier guide d'ondes et une largeur du second guide d'ondes. De plus, elle comporte des parois incurvées au moins sur une partie de l'étendue de couplage amincie. Selon un procédé de fabrication dudit coupleur de guides d'ondes, un matériau est enlevé par gravure isotrope d'une couche de matériau de guide d'ondes se trouvant sur le substrat afin d'obtenir des surfaces amincies entre le premier guide d'ondes et le second guide d'ondes.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)