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1. (WO2011019824) PULSED DEPOSITION AND RECRYSTALLIZATION AND TANDEM SOLAR CELL DESIGN UTILIZING CRYSTALLIZED/AMORPHOUS MATERIAL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/019824    International Application No.:    PCT/US2010/045180
Publication Date: 17.02.2011 International Filing Date: 11.08.2010
IPC:
H01L 21/02 (2006.01)
Applicants: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US) (For All Designated States Except US).
MAYNARD, Helen, L. [US/US]; (US) (For US Only).
PAPASOULIOTIS, George, D. [US/US]; (US) (For US Only).
SINGH, Vikram [US/US]; (US) (For US Only).
HATEM, Christopher, R. [US/US]; (US) (For US Only).
GODET, Ludovic [FR/US]; (US) (For US Only)
Inventors: MAYNARD, Helen, L.; (US).
PAPASOULIOTIS, George, D.; (US).
SINGH, Vikram; (US).
HATEM, Christopher, R.; (US).
GODET, Ludovic; (US)
Agent: LUCEK, Nathaniel; Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US)
Priority Data:
12/538,913 11.08.2009 US
Title (EN) PULSED DEPOSITION AND RECRYSTALLIZATION AND TANDEM SOLAR CELL DESIGN UTILIZING CRYSTALLIZED/AMORPHOUS MATERIAL
(FR) DÉPÔT PAR IMPULSION ET RECRISTALLISATION, ET SYSTÈME DE CELLULES SOLAIRES EN TANDEM UTILISANT DU MATÉRIAU CRISTALLISÉ/AMORPHE
Abstract: front page image
(EN)A method of depositing and crystallizing materials on a substrate Is disclosed, in a particular embodiment, the method may include creating a plasma having deposition- misted species and energy-carrying species. During a first time period, no bias voltage is applied to the substrate, and species are deposited on the substrate via plasma deposition. During a second lime period, a voltage is applied to the substrate, which attracts ions to and into the deposited species, thereby causing the deposited layer to crystallize. This process can be repeated until an adequate thickness is achieved, in another embodiment, the bias voltage or bias pulse duration can be varied to change the amount of crystallization that occurs. In another embodiment, a dopant may be used to dope the deposited layers.
(FR)La présente invention concerne un procédé de dépôt et de cristallisation de matériaux sur un substrat. Dans un mode de réalisation particulier, le procédé peut comprendre la création d'un plasma comportant des espèces déposées par brumisation et des espèces porteuses d'énergie. Durant une première période, aucune tension de polarisation n'est appliquée sur le substrat, et les espèces sont déposées sur le plasma via dépôt par projection plasma. Durant une seconde période, une tension est appliquée sur le substrat, ce qui attire des ions vers et dans les espèces déposées, provoquant de ce fait la cristallisation de la couche déposée. Ce processus peut être répété jusqu'à l'obtention d'une épaisseur adéquate. Dans un autre mode de réalisation, la tension de polarisation ou la durée de l'impulsion de polarisation peuvent être modifiées pour changer l'importance de cristallisation atteinte. Dans un autre mode de réalisation, l'utilisation d'un dopant peut permettre de doper les couches déposées.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)