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Pub. No.:    WO/2011/018984    International Application No.:    PCT/JP2010/063335
Publication Date: 17.02.2011 International Filing Date: 05.08.2010
H01L 31/10 (2006.01)
Applicants: National University Corporation Chiba University [JP/JP]; 1-33, Yayoi-cho, Inage-ku, Chiba-shi, Chiba 2638522 (JP) (For All Designated States Except US).
YOSHIKAWA Akihiko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ISHITANI Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KUSAKABE Kazuhide [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YOSHIKAWA Akihiko; (JP).
ISHITANI Yoshihiro; (JP).
KUSAKABE Kazuhide; (JP)
Agent: TAKAHASHI Masayoshi; 1-3-703, Chiharadai-nishi, Ichihara-shi, Chiba 2900143 (JP)
Priority Data:
2009-185425 10.08.2009 JP
(JA) 光電変換装置
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a photoelectric conversion device which detects, by means of intraband transition, infrared light inputted perpendicularly. The photoelectric conversion device is provided with: a first conductive layer composed of a first conductivity type material; a photosensitizing layer formed on the first conductive layer; a second conductive layer, which is formed on the photosensitizing layer and is composed of a second conductivity type material; and a deflecting section formed on the second conductive layer. The photosensitizing layer performs photoelectric conversion by means of intraband transition process. In such case, the deflecting section may be configured so as to surround the first conductive layer, the photosensitizing layer, and the second conductive layer.
(FR)L'invention concerne un dispositif de conversion photoélectrique servant à détecter, par transition intrabande, une lumière infrarouge entrée perpendiculairement. Ce dispositif de conversion photoélectrique comprend : une première couche conductrice constituée d'un matériau d'un premier type de conductivité ; une couche photosensibilisante formée sur la première couche conductrice ; une deuxième couche conductrice formée sur la couche photosensibilisante et constituée d'un matériau d'un deuxième type de conductivité ; et une partie déflexion formée sur la deuxième couche conductrice. La couche photosensibilisante effectue la conversion photoélectrique par un processus de transition intrabande. Dans ce cas, la partie déflexion peut être configurée de sorte à entourer la première couche conductrice, la couche photosensibilisante et la deuxième couche conductrice.
(JA) 垂直入射する赤外光を、バンド内遷移によって検出する光電変換装置を提供する。 光電変換装置は、第1伝導型からなる第1伝導層と、前記第1伝導層上に形成される光増感層と、前記光増感層上に形成され、第2伝導型からなる第2伝導層と、前記第2伝導層上に形成される偏向部と、を備え、前記光増感層は、バンド内遷移過程による光電変換を行う。なおこの場合において、偏向部は、前記第1伝導層と、前記光増感層と、前記第2伝導層と、を囲むように構成されていてもよい。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)