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1. (WO2011018780) A PROCESS FOR MANUFACTURING A HYBRID SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/018780    International Application No.:    PCT/IE2010/000049
Publication Date: 17.02.2011 International Filing Date: 16.08.2010
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/18 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Applicants: NATIONAL UNIVERSITY OF IRELAND, CORK [IE/IE]; University College Cork Western Road Cork (IE) (For All Designated States Except US).
COLINGE, Cynthia Anne [US/IE]; (IE) (For US Only)
Inventors: COLINGE, Cynthia Anne; (IE)
Agent: O'CONNOR, Michael; O'Connor Intellectual Property Suite 8, Anglesea House Carysfort Avenue, Blackrock County Dublin (IE)
Priority Data:
0914251.4 14.08.2009 GB
Title (EN) A PROCESS FOR MANUFACTURING A HYBRID SUBSTRATE
(FR) PROCESSUS DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT HYBRIDE
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to a process for manufacturing a hybrid substrate and a hybrid substrate produced thereby. The process comprises the steps of ion implanting a donor substrate; patterning the donor substrate to a depth deeper than the ion implantation depth; patterning a host substrate to a depth shallower than the pattern depth of the donor substrate; interlocking the patterned host substrate and the patterned donor substrate; bonding the patterned donor substrate to the host substrate and splitting the donor substrate at the ion implantation depth leaving a patterned transplant layer on the host substrate. In this way, a planar hybrid substrate is produced in a straightforward, efficient manner. This is highly advantageous as the planar substrate may be used in the known CMOS processing machinery and in subsequent processing steps such as lithography and metallization steps. Similarly, device processing steps specific to each substrate may be applied to that substrate independently before bonding the substrates together.
(FR)L'invention concerne un processus de fabrication d'un substrat hybride et un substrat hybride ainsi produit. Le processus comporte les étapes consistant à implanter des ions dans un substrat donneur ; à texturer le substrat donneur jusqu'à une profondeur supérieure à la profondeur d'implantation des ions ; à texturer un substrat hôte jusqu'à une profondeur inférieure à la profondeur de texture du substrat donneur ; à imbriquer le substrat hôte texturé et le substrat donneur texturé ; à coller le substrat donneur texturé au substrat hôte et à fractionner le substrat donneur à la profondeur d'implantation des ions de manière à laisser une couche de transplant texturée sur le substrat hôte. On produit ainsi un substrat hybride plan de manière simple et efficiente. Ceci est particulièrement avantageux, car le substrat plan peut être utilisé dans les machines connues de transformation de CMOS et lors des étapes ultérieures de transformation telles que la lithographie et la métallisation. De manière analogue, des étapes de transformation de dispositifs spécifiques à chaque substrat peuvent être appliquées indépendamment au substrat en question avant de coller les substrats l'un à l'autre.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)