WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2011018478) ELECTROLYTE AND METHOD FOR THE ELECTROPLATING OF COPPER ON A BARRIER LAYER, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE OBTAINED WITH SAID METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/018478    International Application No.:    PCT/EP2010/061693
Publication Date: 17.02.2011 International Filing Date: 11.08.2010
IPC:
C25D 3/38 (2006.01), C25D 7/12 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: ALCHIMER [FR/FR]; ZI de la Bonde 15, rue du Buisson aux Fraises F-91300 Massy (FR) (For All Designated States Except US).
GONZALEZ, José [FR/FR]; (FR) (For US Only).
MEVELLEC, Vincent [FR/FR]; (FR) (For US Only).
RAYNAL, Frédéric [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: GONZALEZ, José; (FR).
MEVELLEC, Vincent; (FR).
RAYNAL, Frédéric; (FR)
Agent: TETAZ, Franck; WARCOIN, AHNER, TEXIER, LE FORESTIER, CALLON DE LAMARCK, COLLIN, TETAZ, FAIVRE PETIT-Cabinet Regimbeau 139 rue Vendôme F-69477 Lyon Cedex 06 (FR)
Priority Data:
0955632 12.08.2009 FR
Title (EN) ELECTROLYTE AND METHOD FOR THE ELECTROPLATING OF COPPER ON A BARRIER LAYER, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE OBTAINED WITH SAID METHOD
(FR) ELECTROLYTE ET PROCÉDÉ POUR DÉPOSER DU CUIVRE SUR UNE COUCHE BARRIÈRE PAR ÉLECTRODÉPOSITION, ET SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR OBTENU À L'AIDE DE CE PROCÉDÉ
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to an electrolyte for copper electroplating on a copper diffusion barrier layer (B), the barrier layer (B) covering a surface of a semiconductor substrate (S), said electrolyte comprising: - a source of copper ions, - a solvent, wherein the electrolyte has a neutral or basic pH and comprises a suppressor (10) adapted to adsorb directly on the barrier layer (B) so as to at least partially mask the surface of the barrier layer (B). The invention also relates to a method for the electroplating of copper on a barrier layer using said electrolyte, and a semiconductor substrate comprising a copper layer formed using said method.
(FR)Cette invention se rapporte à un électrolyte permettant de déposer du cuivre sur une couche barrière de diffusion en cuivre (B) par électrodéposition, ladite couche barrière (B) recouvrant une surface d'un substrat semi-conducteur (S). Ledit électrolyte comprend : - une source d'ions cuivre et - un solvant. L'électrolyte possède un pH neutre ou basique, et il comporte un suppresseur (10) conçu pour une adsorption directe sur la couche barrière (B) afin que la surface de ladite couche barrière (B) soit masquée au moins en partie. La présente invention a également trait à un procédé permettant de déposer du cuivre sur une couche barrière par électrodéposition au moyen dudit électrolyte, et à un substrat semi-conducteur comprenant une couche de cuivre obtenue à l'aide de ce procédé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)