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1. (WO2011018310) ION-SENSITIVE SENSOR HAVING MULTILAYER CONSTRUCTION IN THE SENSITIVE REGION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/018310    International Application No.:    PCT/EP2010/060515
Publication Date: 17.02.2011 International Filing Date: 21.07.2010
IPC:
G01N 27/333 (2006.01), G01N 27/414 (2006.01)
Applicants: ENDRESS+HAUSER CONDUCTA GESELLSCHAFT FÜR MESS- UND REGELTECHNIK MBH+CO. KG [DE/DE]; Dieselstrasse 24 70839 Gerlingen (DE) (For All Designated States Except US).
ZEUN, Hendrik [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: ZEUN, Hendrik; (DE)
Agent: ANDRES, Angelika; c/o Endress+Hauser (Deutschland) AG+Co. KG PatServe Colmarer Strasse 6 79576 Weil am Rhein (DE)
Priority Data:
102009028486.9 12.08.2009 DE
Title (DE) IONENSENSITIVER SENSOR MIT MEHRFACHSCHICHTAUFBAU IM SENSITIVEN BEREICH
(EN) ION-SENSITIVE SENSOR HAVING MULTILAYER CONSTRUCTION IN THE SENSITIVE REGION
(FR) CAPTEUR SENSIBLE AUX IONS À STRUCTURE MULTICOUCHE DANS LA ZONE SENSIBLE
Abstract: front page image
(DE)Ein ionensensitiver Sensor mit einer ElS-Struktur, umfasst: ein Halbleiter-Substrat (100) auf dem eine Schicht eines Substratoxids (103) erzeugt ist; eine Anpassungsschicht (104), welche auf dem Substratoxid (103) präpariert ist, ein chemisch stabiler Zwischenisolator (105), der auf der Anpassungsschicht (104) abgeschieden ist; und eine ionensensitive Sensorschicht (106), die auf dem Zwischenisolator (105) aufgebracht ist, wobei sich die Anpassungsschicht in ihrer chemischen Zusammensetzung und / oder in ihrer Struktur von dem Zwischenisolator und von dem Substratoxid unterscheidet, wobei die Anpassungsschicht (104) und die ionensensitive Sensorschicht (106) jeweils eine größere elektrische Leitfähigkeit aufweisen als der Zwischenisolator, wobei erfindungsgemäß die Anpassungsschicht mit der ionensensitiven Sensorschicht in elektrisch leitender Verbindung (107) steht.
(EN)The invention relates to a ion-sensitive sensor having an ElS structure, comprising: a semiconductor substrate (100) on which a coating of a substrate oxide (103) is generated; an adaptation layer (104) prepared on the substrate oxide (103), a chemically stable intermediate insulator (105) deposited on the adaptation layer (104); and an ion-sensitive sensor layer (106) applied to the intermediate insulator (105), wherein the adaptation layer differs in the chemical composition thereof and/or structure thereof from the intermediate insulator and from the substrate oxide, wherein the adaptation layer (104) and the ion-sensitive sensor layer (106) each comprise a greater electrical conductivity than the intermediate insulator, wherein the adaptation layer is electrically conductively connected (107) to the ion-sensitive sensor layer according to the invention.
(FR)L'invention concerne un capteur sensible aux ions présentant une structure ElS et comprenant : un substrat semi-conducteur (100) sur lequel est produite une couche d'un oxyde de substrat (103); une couche d'adaptation (104) qui est préparée sur l'oxyde de substrat (103); un isolant intermédiaire chimiquement stable (105) qui est déposé sur la couche d'adaptation (104); et une couche de détection sensible aux ions (106) qui est appliquée sur l'isolant intermédiaire (105). La couche d'adaptation diffère de l'isolant intermédiaire et de l'oxyde de substrat en termes de composition chimique et/ou de structure. La couche d'adaptation (104) et la couche de détection sensible aux ions (106) présentent toutes deux une conductivité électrique supérieure à celle de l'isolant intermédiaire, la couche d'adaptation et la couche de détection sensible aux ions étant selon l'invention reliées de façon électroconductrice (107).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)