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1. (WO2011017625) METHOD OF FORMING A THERMALLY STABLE DIAMOND CUTTING ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/017625    International Application No.:    PCT/US2010/044731
Publication Date: 10.02.2011 International Filing Date: 06.08.2010
IPC:
E21B 10/54 (2006.01), E21B 10/42 (2006.01), E21B 10/62 (2006.01)
Applicants: SMITH INTERNATIONAL, INC. [US/US]; 1310 Rankin Rd. Houston, Texas 77073 (US) (For All Designated States Except US).
CARIVEAU, Peter, T. [US/US]; (US) (For US Only).
EYRE, Ronald, K. [US/US]; (US) (For US Only).
FANG, Yi [CN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: CARIVEAU, Peter, T.; (US).
EYRE, Ronald, K.; (US).
FANG, Yi; (US)
Agent: HOLTHUS, Lisa, K.; Smith International, Inc. Patent Services 1310 Rankin Rd. Houston, Texas 77073 (US)
Priority Data:
61/232,228 07.08.2009 US
Title (EN) METHOD OF FORMING A THERMALLY STABLE DIAMOND CUTTING ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN ÉLÉMENT DE COUPE EN DIAMANT THERMIQUEMENT STABLE
Abstract: front page image
(EN)In one aspect, a vacuum-sealed can is used during the bonding process to improve the properties of an infiltrated TSP cutting element. In one embodiment, ultra hard diamond crystals and a catalyst material are sintered to form a polycrystalline diamond material (PCD). This PCD material is leached to remove the catalyst, forming a thermally stable product (TSP). The TSP material and a substrate are placed into an enclosure such as a can assembly, heated, and subjected to a vacuum in order to remove gas, moisture and other residuals that can inhibit infiltration of the infiltrant into the TSP layer. The can assembly is then subjected to high temperature, high pressure bonding to bond the TSP material to the substrate. During bonding, material from the substrate infiltrates the TSP layer. In another aspect, an insulator material may be used during a bonding process.
(FR)Dans un aspect de l'invention, un récipient scellé sous vide est utilisé pendant le procédé de liaison afin d'améliorer les propriétés d'un élément de coupe TSP infiltré. Dans un mode de réalisation, des cristaux de diamant ultradurs et un matériau catalyseur sont frittés pour former un matériau de diamant polycristallin (PCD). Ce matériau PCD est lixivié pour éliminer le catalyseur, en formant un produit thermiquement stable (TSP). Le matériau TSP et un substrat sont placés dans une enceinte comme un ensemble récipient, chauffés et placés sous vide afin d'éliminer les gaz, l'humidité et d'autres résidus qui pourraient inhiber l'infiltration de l'infiltrant dans la couche TSP. L'ensemble récipient est ensuite soumis à une liaison à haute température et haute pression pour lier le matériau TSP au substrat. Pendant la liaison, le matériau du substrat infiltre la couche TSP. Dans un autre aspect, un matériau isolant peut être utilisé pendant le procédé de liaison.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)