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1. (WO2011017378) PROGRAMMING MEMORY WITH REDUCED PASS VOLTAGE DISTURB AND FLOATING GATE TO-CONTROL GATE LEAKAGE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/017378    International Application No.:    PCT/US2010/044317
Publication Date: 10.02.2011 International Filing Date: 03.08.2010
IPC:
G11C 11/56 (2006.01), G11C 16/04 (2006.01), G11C 16/10 (2006.01), G11C 16/34 (2006.01)
Applicants: SANDISK TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; Two Legacy Town Center 6900 North Dallas Parkway Plano, TX 75024 (US) (For All Designated States Except US).
DUTTA, Deepanshu [IN/US]; (US) (For US Only).
CHIN, Henry [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: DUTTA, Deepanshu; (US).
CHIN, Henry; (US)
Agent: MAGEN, Burt; VIERRA MAGEN MARCUS & DENIRO, LLP 575 Market Street, Suite 2500 San Francisco, CA 94105 (US)
Priority Data:
12/536,127 05.08.2009 US
Title (EN) PROGRAMMING MEMORY WITH REDUCED PASS VOLTAGE DISTURB AND FLOATING GATE TO-CONTROL GATE LEAKAGE
(FR) MÉMOIRE DE PROGRAMMATION AVEC PERTURBATION DE TENSION DE PASSAGE RÉDUITE ET GRILLE FLOTTANTE POUR COMMANDER UNE FUITE DE GRILLE
Abstract: front page image
(EN)Program disturb is reduced in a non-volatile storage system by programming storage elements on a selected word line WLn in separate groups, according to the state of their WLn-I neighbor storage element, and applying an optimal pass voltage to WLn-I for each group. Initially, the states of the storage elements on WLn-I are read. A program iteration includes multiple program pulses. A first program pulse (1402) is applied to WLn while a first pass voltage (1425) is applied to WLn-1, a first group (1480, 1482, 1488) of WLn storage elements is selected for programming, and a second group (1484, 1486) of WLn storage elements is inhibited. Next, a second program pulse (1404) is applied to WLn while a second pass voltage (1426) is applied to WLn-I, the second first group of WLn storage elements is selected for programming, and the first group of WLn storage elements is inhibited. A group can include one or more data states (A, B, C, E).
(FR)Selon l'invention, une perturbation de programme est réduite dans un système de mémoire non volatile par programmation d'éléments de stockage sur une ligne de mot choisie WLn dans des groupes séparés, en fonction de l'état de leur élément de stockage voisin WLn-I, et application d'une tension de passage optimale à WLn-I pour chaque groupe. Initialement, les états des éléments de stockage sur WLn-I sont lus. Une itération de programme comprend de multiples impulsions de programme. Une première impulsion de programme (1402) est appliquée à WLn tandis qu'une première tension de passage (1425) est appliquée à WLn-I, un premier groupe (1480, 1482, 1488) de WLn éléments de stockage est choisi pour la programmation, et un second groupe (1484, 1486) de WLn éléments de stockage est empêché. Ensuite, une seconde impulsion de programme (1404) est appliquée à WLn tandis qu'une seconde tension de passage (1426) est appliquée à WLn-I, le second premier groupe des WLn éléments de stockage est choisi pour la programmation, et le premier groupe des WLn éléments de stockage est empêché. Un groupe peut comprendre un ou plusieurs états de données (A, B, C, E).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)