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1. (WO2011016828) LARGE AREA DEPOSITION OF GRAPHENE HETERO-EPITAXIAL GROWTH, AND PRODUCTS INCLUDING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/016828    International Application No.:    PCT/US2010/001982
Publication Date: 10.02.2011 International Filing Date: 15.07.2010
IPC:
C30B 25/02 (2006.01), C30B 25/10 (2006.01), C30B 25/18 (2006.01), C30B 29/02 (2006.01)
Applicants: GUARDIAN INDUSTRIES CORP. [US/US]; 2300 Harmon Road Auburn Hills, MI 48326-1714 (US) (For All Designated States Except US).
VEERASAMY, Vijayen, S. [MU/US]; (US) (For US Only)
Inventors: VEERASAMY, Vijayen, S.; (US)
Agent: RHOA, Joseph, A.; Nixon & Vanderhye P.C. 901 North Glebe Road, 11th Floor Arlington, VA 22203-1808 (US)
Priority Data:
12/461,346 07.08.2009 US
Title (EN) LARGE AREA DEPOSITION OF GRAPHENE HETERO-EPITAXIAL GROWTH, AND PRODUCTS INCLUDING THE SAME
(FR) DÉPÔT SUR DES ZONES DE GRANDE DIMENSION DE GRAPHÈNE À CROISSANCE HÉTÉRO-ÉPITAXIALE ET PRODUITS LES COMPRENANT
Abstract: front page image
(EN)Certain example embodiments of this invention relate to the use of graphene as a transparent conductive coating (TCC). In certain example embodiments, graphene thin films grown on large areas hetero-epitaxially, e.g., on a catalyst thin film, from a hydrocarbon gas (such as, for example, C2H2, CH4, or the like). The graphene thin films of certain example embodiments may be doped or undoped. In certain example embodiments, graphene thin films, once formed, may be lifted off of their carrier substrates and transferred to receiving substrates, e.g., for inclusion in an intermediate or final product. Graphene grown, lifted, and transferred in this way may exhibit low sheet resistances (e.g., less than 150 ohms/square and lower when doped) and high transmission values (e.g., at least in the visible and infrared spectra).
(FR)Certains modes de réalisation à titre d'exemples de cette invention portent sur l'utilisation du graphène comme revêtement conducteur transparent (TCC). Dans certains modes de réalisation à titre d'exemples, des films minces de graphène résultent d'une croissance hétéro-épitaxiale sur des zones de grande dimension, par exemple sur un film mince de catalyseur, à partir d'un hydrocarbure gazeux (tel que, par exemple, C2H2, CH4 ou similaires). Les films minces de graphène de certains modes de réalisation à titre d'exemples peuvent être dopés ou non dopés. Dans certains modes de réalisation à titre d'exemples, les films minces de graphène, une fois formés, peuvent être soulevés de leurs substrats de support et transférés sur des substrats de réception, par exemple pour inclusion dans un produit intermédiaire ou un produit final. Le graphène ayant subi une croissance, soulevé et transféré de cette manière peut présenter de faibles résistances de couche (par exemple, moins de 150 ohms/carré et inférieures lorsqu'il est dopé) et des valeurs de transmission élevées (par exemple au moins dans les spectres visible et infrarouge).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)