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1. (WO2011016641) SUBSTRATE FOR BALL GRID ARRAY SEMICONDUCTOR PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/016641    International Application No.:    PCT/KR2010/004909
Publication Date: 10.02.2011 International Filing Date: 27.07.2010
IPC:
H01L 21/60 (2006.01)
Applicants: ELECHEM CO.,LTD [KR/KR]; Rm 810, Multimedia B/D, Kyunghee Univ., # 1 Seocheon-dong, Giheung-gu Yongin-si, Gyeonggi-do 446-701 (KR) (For All Designated States Except US).
KIM, Woon Soo [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: KIM, Woon Soo; (KR)
Agent: LEEON INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; 316ho, Kolon Science Valley 2cha 811, Guro-dong, Guro-gu Seoul 152-050 (KR)
Priority Data:
10-2009-0071379 03.08.2009 KR
Title (EN) SUBSTRATE FOR BALL GRID ARRAY SEMICONDUCTOR PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF
(FR) SUBSTRAT POUR BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR AVEC BOÎTIER MATRICIEL À BILLES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(KO) 볼 그리드 어레이 반도체 패키지용 기판 및 이의 제조방법
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to a substrate for a ball grid array semiconductor package and a fabrication method thereof. The substrate for a ball grid array semiconductor package of the present invention comprises: a base substrate formed of Bismaleimide-Triazine; a first electroless plated layer formed over the base substrate; and a first electroplated layer formed over the first electroless plated layer. The present invention makes it possible to fabricate a substrate for a ball grid array semiconductor package, which does not require any use of an adhesive, is capable of adjusting the thickness of an electro-conductive metal plated layer and exhibits excellent adhesion strength. Moreover, without the use of an adhesive layer, the present invention substrate for a ball grid array semiconductor package provides superior heat resistance, chemical resistance and migration properties.
(FR)La présente invention concerne un substrat destiné à un boîtier de semi-conducteur avec boîtier matriciel à billes et un procédé de fabrication associé. Le substrat d'un boîtier de semi-conducteur avec boîtier matriciel à billes de l'invention comprend : un substrat de base constitué de bismaléimide-triazine ; une première couche formée par dépôt autocatalytique sur le substrat de base ; et une première couche plaquée par électrolyse formée sur la première couche formée par dépôt autocatalytique. L'invention permet de fabriquer un substrat pour un boîtier de semi-conducteur avec boîtier matriciel à billes, qui n'exige pas d'utiliser d'adhésif, peut ajuster l'épaisseur d'une couche électro-conductrice formée par galvanoplastie et montre une excellente résistance à l'adhérence. De plus, le substrat de l'invention destiné à un boîtier de semi-conducteur avec boîtier matriciel à billes assure, sans utiliser de couche adhésive, une résistance à la chaleur, une résistance chimique et des propriétés de migration de niveau supérieur.
(KO)본 발명은 볼 그리드 어레이 반도체 패키지용 기판 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 볼 그리드 어레이 반도체 패키지용 기판은, 비스마레이미드 트리아진으로 형성된 기재 기판; 상기 기재 기판 상부에 형성된 제 1 무전해 도금층; 및 상기 제 1 무전해 도금층 상에 형성된 제 1 전해 도금층; 을 포함한다. 본 발명은 접착층 사용이 필요 없고, 전도성 금속 도금층의 형성 두께 조절이 가능하며, 밀착강도가 우수한 볼 그리드 어레이 반도체 패키지용 기판을 제조할 수 있다. 또한, 본 발명의 볼 그리드 어레이 반도체 패키지용 기판은 접착층을 사용하지 않기 때문에, 내열성, 내약품성, 마이그레이션 특성이 우수하다.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Korean (KO)
Filing Language: Korean (KO)