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1. (WO2011016365) INORGANIC PARTICLE-DISPERSED SPUTTERING TARGET
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/016365    International Application No.:    PCT/JP2010/062590
Publication Date: 10.02.2011 International Filing Date: 27.07.2010
Chapter 2 Demand Filed:    10.12.2010    
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), G11B 5/851 (2006.01)
Applicants: JX Nippon Mining & Metals Coporation [JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP) (For All Designated States Except US).
SATO Atsushi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAKAMURA Yuichiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SATO Atsushi; (JP).
NAKAMURA Yuichiro; (JP)
Agent: OGOSHI Isamu; OGOSHI International Patent Office Daini-Toranomon Denki Bldg., 5F, 3-1-10, Toranomon, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2009-183418 06.08.2009 JP
Title (EN) INORGANIC PARTICLE-DISPERSED SPUTTERING TARGET
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION CONTENANT DES PARTICULES INORGANIQUES DISPERSÉES
(JA) 無機物粒子分散型スパッタリングターゲット
Abstract: front page image
(EN)In a sputtering target in which inorganic particles are dispersed in a Co-substrate, provided is an inorganic particle-dispersed sputtering target characterized in that the inorganic particles have an electric resistivity of 1 × 101 Ω·m or less and the volume ratio of the inorganic particles in the target is 50% or less. The sputtering target thus adjusted is advantageous in that when sputtering using a magnetron sputtering device equipped with a DC power supply, the inorganic particles are less charged, so that the occurrence of arcing is low. Accordingly, by use of the invented sputtering target, the occurrence of particles attributable to the arcing is suppressed, obtaining a significant effect of improving the yield in forming a thin film.
(FR)La présente invention se rapporte à une cible de pulvérisation, des particules inorganiques étant dispersées dans un substrat de cobalt. Ladite cible de pulvérisation contenant des particules inorganiques dispersées est caractérisée en ce que les particules inorganiques ont une résistivité électrique égale ou inférieure à 1 × 101 Ω·m et le rapport de volume des particules inorganiques dans la cible est égal ou inférieur à 50 %. La cible de pulvérisation ainsi réglée est avantageuse en ce que, lors d'une pulvérisation à l'aide d'un dispositif de pulvérisation magnétron pourvu d'une alimentation électrique en courant continu, les particules inorganiques sont moins chargées de telle sorte que l'apparition d'un arc électrique soit réduite. Par conséquent, à l'aide de la cible de pulvérisation de la présente invention, on évite l'apparition de particules attribuables à la formation d'un arc électrique, ce qui permet d'obtenir un effet significatif d'amélioration du rendement de fabrication d'un film mince.
(JA)Co素地中に無機物粒子が分散したスパッタリングターゲットにおいて、無機物粒子の電気抵抗率が1×10Ω・m以下で、ターゲット中で無機物粒子の占める体積割合が50%以下であることを特徴とする無機物粒子分散型スパッタリングターゲット。このように調整したスパッタリングターゲットはDC電源を備えたマグネトロンスパッタ装置でスパッタする際に無機物粒子への帯電が少なくなり、アーキング発生が少ないという利点をもつ。したがって本発明のスパッタリングターゲットを使用すれば、アーキングに起因するパーティクルの発生が抑制され、薄膜作製時の歩留まりが向上するという著しい効果がある。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)