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1. (WO2011016287) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID-CRYSTAL DISPLAY PANEL, LIQUID-CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING AN ACTIVE MATRIX SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/016287    International Application No.:    PCT/JP2010/059962
Publication Date: 10.02.2011 International Filing Date: 11.06.2010
IPC:
G02F 1/1345 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (For All Designated States Except US).
TSUBATA, Toshihide; (For US Only).
YAMASHIKI, Kohichi; (For US Only).
SUGIMOTO, Mitsuhiro; (For US Only).
NAKATAKE, Yasuhiro; (For US Only)
Inventors: TSUBATA, Toshihide; .
YAMASHIKI, Kohichi; .
SUGIMOTO, Mitsuhiro; .
NAKATAKE, Yasuhiro;
Agent: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office, p.c., Nakanoshima Central Tower 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2009-181659 04.08.2009 JP
Title (EN) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID-CRYSTAL DISPLAY PANEL, LIQUID-CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING AN ACTIVE MATRIX SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE ACTIVE, PANNEAU ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE MATRICE ACTIVE
(JA) アクティブマトリックス基板、液晶表示パネル、液晶表示装置およびアクティブマトリックス基板の製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is an active matrix substrate (130) provided with: a lead wire going from a switching element to the surrounding region (105); a pad area (112) that is positioned above said surrounding region (105) and formed on the lead wire; an insulating layer (171) that is formed so as to cover the pad area (112), has a contact hole (170) formed therein that extends to the pad (112), and includes a passivation film (137) formed from an inorganic material and a planarization film (138) formed from an organic material on top of the passivation film (137); and an ITO film (141) positioned inside the contact hole (170) and formed on top of the pad (112). The ITO film (141) is formed at a position separated from the part of the inner surface of the contact hole (170) that is regulated by the planarization film (138).
(FR)L'invention concerne un substrat de matrice active (130) muni : d'un fil de sortie allant depuis un élément de commutation jusqu'à la zone environnante (105) ; d'une surface de plage de connexion (112) qui est positionnée au-dessus de ladite zone environnante (105) et formée sur le fil de sortie ; d'une couche isolante (171) qui est formée de façon à recouvrir la surface de plage de connexion (112), possède un alésage de contact (170) formé dans celle-ci, lequel s'étend vers la plage de connexion (112) et inclut un film de passivation (137) formé à partir d'un matériau inorganique et un film d'aplanissement (138) formé à partir d'un matériau organique au sommet du film de passivation (137) ; ainsi que d'un film d'oxyde étain-indium (ITO) (141) positionné à l'intérieur de l'alésage de contact (170) et formé au sommet de la plage de connexion (112). Le film d'oxyde étain-indium (141) est formé à une position séparée de la partie de la surface interne de l'alésage de contact (170) qui est régulée par le film d'aplanissement (138).
(JA) アクティブマトリックス基板(130)は、スイッチング素子から周辺領域(105)に引き出された引き出し配線と、引き出し配線に形成され、周辺領域(105)上に位置するパッド部(112)と、前記パッド部(112)を覆うように形成され、無機材料から形成されたパッシベーション膜(137)およびパッシベーション膜(137)上に形成され、有機材料によって形成された平坦化膜(138)を含み、パッド(112)に達するコンタクトホール(170)が形成された絶縁層(171)と、コンタクトホール(170)内に位置し、パッド(112)上に形成されたITO膜(141)とを備え、ITO膜(141)は、コンタクトホール(170)の内周面のうち、平坦化膜(138)によって規定された部分から離れた位置に形成される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)