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1. (WO2011015637) PROCESS FOR MANUFACTURING MEMS DEVICES HAVING BURIED CAVITIES AND MEMS DEVICE OBTAINED THEREBY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/015637    International Application No.:    PCT/EP2010/061441
Publication Date: 10.02.2011 International Filing Date: 05.08.2010
IPC:
B81C 1/00 (2006.01)
Applicants: STMICROELECTRONICS S.R.L. [IT/IT]; Via C. Olivetti, 2 Agrate Brianza (IT) (For All Designated States Except US).
CORONA, Pietro [IT/IT]; (IT) (For US Only).
LOSA, Stefano [IT/IT]; (IT) (For US Only).
GELMI, Ilaria [IT/IT]; (IT) (For US Only).
CAMPEDELLI, Roberto [IT/IT]; (IT) (For US Only)
Inventors: CORONA, Pietro; (IT).
LOSA, Stefano; (IT).
GELMI, Ilaria; (IT).
CAMPEDELLI, Roberto; (IT)
Agent: JORIO, Paolo; Studio Torta S.r.l. Via Viotti, 9 I-10121 Torino (IT)
Priority Data:
TO 2009 A 000616 05.08.2009 IT
Title (EN) PROCESS FOR MANUFACTURING MEMS DEVICES HAVING BURIED CAVITIES AND MEMS DEVICE OBTAINED THEREBY
(FR) PROCÉDÉ POUR FABRIQUER DES DISPOSITIFS À SYSTÈME MICROÉLECTROMÉCANIQUE AYANT DES CAVITÉS ENFOUIES ET DISPOSITIF À SYSTÈME MICROÉLECTROMÉCANIQUE OBTENU PAR CELUI-CI
Abstract: front page image
(EN)A process for manufacturing a MEMS device, wherein a bottom silicon region (4b) is formed on a substrate and on an insulating layer (3); a sacrificial region (5a) of dielectric is formed on the bottom region; a membrane region (21), of semiconductor material, is epitaxially grown on the sacrificial region; the membrane region is dug as far as the sacrificial region so as to form through trenches (15); the side wall and the bottom of the through trenches are completely coated in a conformal way with a porous material layer (16); at least one portion of the sacrificial region is selectively removed through the porous material layer and forms a cavity (18); and the through trenches are filled with filling material (20a) so as to form a monolithic membrane suspended above the cavity (18).
(FR)L'invention pour sur un procédé pour fabriquer un dispositif à système microélectromécanique, dans lequel dispositif une région de silicium inférieure (4b) est formée sur un substrat et sur une couche isolante (3) ; une région sacrificielle (5a) de diélectrique est formée sur la région inférieure ; on fait croître de façon épitaxiale une région de membrane (21), en matériau semi-conducteur, sur la région sacrificielle ; la région de membrane est creusée jusqu'à la région sacrificielle de façon à former des tranchées traversantes (15) ; la paroi latérale et le fond des tranchées traversantes sont complètement revêtus d'une façon conforme avec une couche de matériau poreux (16) ; au moins une partie de la région sacrificielle est retirée de façon sélective à travers la couche de matériau poreux et forme une cavité (18), et les tranchées traversantes sont remplies d'un matériau de remplissage (20a) de façon à former une membrane monolithique suspendue au-dessus de la cavité (18).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)