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1. (WO2011015440) A NANOMESH SRAM CELL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/015440    International Application No.:    PCT/EP2010/060244
Publication Date: 10.02.2011 International Filing Date: 15.07.2010
IPC:
H01L 21/8244 (2006.01), H01L 21/84 (2006.01), H01L 27/11 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), G11C 13/02 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504 (US) (For All Designated States Except US).
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU (GB) (MG only).
CHANG, Josephine [US/US]; (US) (For US Only).
CHANG, Paul [US/US]; (US) (For US Only).
GUILLORN, Michael [US/US]; (US) (For US Only).
SLEIGHT, Jeffrey [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: CHANG, Josephine; (US).
CHANG, Paul; (US).
GUILLORN, Michael; (US).
SLEIGHT, Jeffrey; (US)
Agent: BURT, Roger, James; IBM United Kingdom Limited Intellectual Property Law Hursley Park Winchester Hampshire SO21 2JN (GB)
Priority Data:
12/536,741 06.08.2009 US
Title (EN) A NANOMESH SRAM CELL
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE VIVE STATIQUE À NANORÉSEAU
Abstract: front page image
(EN)Nanowire-based devices are provided. In one aspect, a SRAM cell (100) includes at least one pair of pass gates (102,104) and at least one pair of inverters (106,108) formed adjacent to one another on a wafer. Each pass gate includes one or more device layers each having a source region, (102sd) a drain region (102sd) and a plurality of nanowire channels (102c) connecting the source region and the drain region and a gate(102g) common to each of the pass gate device layers surrounding the nanowire channels. Each inverter includes a plurality of device layers each having a source region, (106s) a drain region (106d) and a plurality of nanowire channels (106c) connecting the source region and the drain region and a gate (106g) common to each of the inverter device layers surrounding the nanowire channels.
(FR)L'invention porte sur des dispositifs à base de nano fils. Dans un premier aspect, une cellule de mémoire vive statique (SRAM) (100) comprend au moins une paire de portes de transmission (102, 104) et au moins une paire de portes inverseuses (106, 108) formées de façon adjacente l'une à l'autre sur une tranche. Chaque porte de transmission comprend une ou plusieurs couches de dispositif comprenant chacune une région de source (102sd), une région de drain (102sd) et une pluralité de canaux de nano fils (102c) connectant la région de source et la région de drain, et une grille (102g) commune à chacune des couches de dispositif de la porte de transmission entourant les canaux de nano fils. Chaque porte inverseuse comprend une pluralité de couches de dispositif comprenant chacune une région de source (106s), une région de drain (106d) et une pluralité de canaux de nano fils (106c) connectant la région de source et la région de drain, et une grille (106g) commune à chacune des couches de dispositif de la porte inverseuse entourant les canaux de nano fils.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)