EP2010058168 SCHOTTKY DIODE WITH SUBSTRATE PN DIODE

1. (WO2011015398) SCHOTTKY DIODE WITH SUBSTRATE PN DIODE

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Pub. No.:		WO/2011/015398		International Application No.:		PCT/EP2010/058168
Publication Date:		10.02.2011		International Filing Date:		10.06.2010

IPC:

H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)

Applicants:

ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
QU, Ning [DE/DE]; (DE) (For US Only).
GOERLACH, Alfred [DE/DE]; (DE) (For US Only)

Inventors:

QU, Ning; (DE).
GOERLACH, Alfred; (DE)

Common
Representative:

ROBERT BOSCH GMBH; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)

Priority Data:

10 2009 028 241.6

05.08.2009

Title

(DE) SCHOTTKY DIODE MIT SUBSTRAT PN DIODE
(EN) SCHOTTKY DIODE WITH SUBSTRATE PN DIODE
(FR) DIODE SCHOTTKY À DIODE PN-SUBSTRAT

Abstract:

(DE)Es wird eine Halbleiteranordnung mit einer Trench-Junction-Barrier-Schottky-Diode mit integrierter Substrat-PN-Diode (TJBS-Sub-PN), als Klammerelement, die sich insbesondere als Z-Diode mit einer Durchbruchspannung von ca. 20V zum Einsatz in Kfz-Generatorsystemen eignet, beschrieben. Dabei besteht die TJBS-Sub-PN aus einer Kombination von Schottky-Diode, Epi-PN-Diode und Substrat-PN-Diode und die Durchbruchspannung der Substrat-PN-Diode BV_pn ist niedriger als die Durchbruchspannung der Schottky-Diode BV_schottky und die Durchbruchspannung der Epi-PN-Diode BV_epi.
(EN)A description is given of a semiconductor arrangement comprising a trench junction barrier Schottky diode with an integrated substrate PN diode (TJBS-Sub-PN), as a clamping element, which is suitable, in particular, as a zener diode having a breakdown voltage of approximately 20V for use in motor vehicle generator systems. The TJBS-Sub-PN consists of a combination of Schottky diode, epitaxial PN diode and substrate PN diode and the breakdown voltage of the substrate PN diode BV_pn is lower than the breakdown voltage of the Schottky diode BV_schottky and the breakdown voltage of the epitaxial PN diode BV_epi.
(FR)L'invention concerne un ensemble semiconducteur comportant une diode barrière Schottky à structure en tranchée à diode PN-substrat (TJBS-Sub-PN) intégrée en tant qu'élément de blocage qui se prête en particulier à une utilisation comme diode Zener présentant une tension de claquage d'environ 20 V dans des systèmes d'alternateur de véhicules automobiles. La diode TJBS-Sub-PN est constituée d'une association d'une diode Schottky et d'une diode Epi-PN et d'une diode PN-substrat. La tension de claquage de la diode PN-substrat BV_pn est inférieure à la tension de claquage de la diode Schottky BV_schottky et à la tension de claquage de la diode Epi-PN BV_epi.

Designated States:

AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).

Publication Language:	German (DE)
Filing Language:	German (DE)

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