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1. (WO2011015394) SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT AND METHOD FOR PRODUCING IT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/015394    International Application No.:    PCT/EP2010/058067
Publication Date: 10.02.2011 International Filing Date: 09.06.2010
IPC:
H01L 29/872 (2006.01), H01L 21/329 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01)
Applicants: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
QU, Ning [DE/DE]; (DE) (For US Only).
GOERLACH, Alfred [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: QU, Ning; (DE).
GOERLACH, Alfred; (DE)
Common
Representative:
ROBERT BOSCH GMBH; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Priority Data:
10 2009 028 248.3 05.08.2009 DE
Title (DE) HALBLEITERANORDNUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
(EN) SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT AND METHOD FOR PRODUCING IT
(FR) ENSEMBLE SEMICONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Abstract: front page image
(DE)Es wird eine Halbleiteranordnung mit einer Trench-MOS-Barrier-Schottky-Diode (TMBS) bestehend aus einer n-Epischicht (2), in der sich in einer zweidimensionalen Darstellungsweise mindestens zwei eingeätzte Gräben (6), auf einem n+-Substrat 1, das als Kathodenzone dient, befinden, vorgeschlagen. Dabei befindet sich in der n-dotierten Epischicht 2 mindestens an einer Stelle unterhalb des Grabenbodens eine elektrisch floatende p-dotiert Schicht, die als Anodenzone der PN-Diode dient. Eine Oxidschicht liegt zwischen einer Metallschicht 4 und der Oberfläche der Graben 6. Die n-dotierte Epischicht 2 kann sich auch aus zwei unterschiedlich hoch dotierten n-Schichten zusammensetzen.
(EN)Proposed is a semiconductor arrangement comprising a trench MOS barrier Schottky diode (TMBS) consisting of an n-type epitaxial layer (2), in which are situated in a two-dimensional manner of presentation at least two trenches (6) introduced by etching, on an n+-type substrate (1), which serves as a cathode zone. An electrically floating p-doped layer, which serves as an anode zone of the PN diode, is situated in the n-doped epitaxial layer (2) at least at a location below the trench bottom. An oxide layer lies between a metal layer (4) and the surface of the trenches (6). The n-doped epitaxial layer (2) can also be composed of two n-type layers doped with different doping levels.
(FR)L'invention concerne un ensemble semiconducteur comportant une diode barrière Schottky MOS à structure en tranchée (TMBS) constituée d'une couche n-épitaxiale (2) dans laquelle se trouve, en représentation bidimensionnelle, au moins deux tranchées (6), produites par attaque, sur un substrat n+ (1) qui sert de zone de cathode. Dans la couche épitaxiale dopée n (2) se trouve, en au moins un emplacement situé sous le fond de la tranchée, une couche dopée p électriquement flottante qui sert de zone d'anode de la diode PN. Une couche d'oxyde est intercalée entre une couche métallique (4) et la surface des tranchées (6). La couche épitaxiale dopée n (2) peut également être constituée de deux couches n présentant des niveaux de dopage différents.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)