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Pub. No.:    WO/2011/014607    International Application No.:    PCT/US2010/043628
Publication Date: 03.02.2011 International Filing Date: 29.07.2010
Chapter 2 Demand Filed:    27.05.2011    
F02M 61/18 (2006.01), B23P 15/16 (2006.01)
Applicants: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY [US/US]; 3M Center Post Office Box 33427 Saint Paul, Minnesota 55133-3427 (US) (For All Designated States Except US).
CARPENTER, Barry, S. [US/US]; (US) (For US Only).
WILLOUGHBY, Jaime, B. [US/US]; (US) (For US Only).
SAHLIN, Jennifer, J. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: CARPENTER, Barry, S.; (US).
WILLOUGHBY, Jaime, B.; (US).
SAHLIN, Jennifer, J.; (US)
Agent: STORVICK, Kristofor, L.; 3M Center Office of Intellectual Property Counsel Post Office Box 33427 Saint Paul, Minnesota 55133-3427 (US).
KNECHT, Harold, C. III; 3M Center Office of Intellectual Property Counsel Post Office Box 33427 Saint Paul, Minnesota 55133-3427 (US)
Priority Data:
61/229,821 30.07.2009 US
Abstract: front page image
(EN)Nozzle and a method of making the same are disclosed. The method includes the steps of: (a) providing a first material that is capable of undergoing multiphoton reaction; (b) forming a first microstructured pattern in the first material using a multiphoton process; (c) replicating the first microstructured pattern in a second material that is different than the first material to make a first mold that includes a second microstructured pattern in the second material; (d) replicating the second microstructured pattern in a third material different than the first and second materials to make a second mold that includes a third microstructured pattern that includes a plurality of microstructures in the third material; (e) planarizing the third microstructured pattern of the second mold with a layer of a fourth material different than the third material, where the layer exposes tops of the microstructures in the plurality of microstructures in the third microstructured pattern; and (f) removing the third material resulting in a nozzle that includes a plurality of holes in the fourth material, where the holes correspond to the plurality of microstructures in the third microstructured pattern.
(FR)L'invention porte sur une buse et sur un procédé de fabrication de cette buse. Le procédé comprend les étapes consistant à : (a) disposer une première matière qui peut subir une réaction de multiphotons; (b) former un premier motif microstructuré dans la première matière à l'aide d'un processus multiphotons; (c) répliquer le premier motif microstructuré dans une deuxième matière qui est différente de la première matière pour réaliser un premier moule qui comprend un deuxième motif microstructuré dans la deuxième matière; (d) répliquer le deuxième motif microstructuré dans une troisième matière différente de la première et de la deuxième matière pour réaliser un second moule qui comprend un troisième motif microstructuré qui comprend lui-même une pluralité de microstructures dans ladite troisième matière; (e) aplanir le troisième motif microstructuré du second moule avec une couche d'une quatrième matière différente de la troisième matière, la couche laissant voir les sommets des microstructures de la pluralité de microstructures dans le troisième motif microstructuré; et (f) retirer la troisième matière, ce qui donne une buse qui comprend une pluralité de trous réalisés dans la quatrième matière, les trous correspondant à la pluralité de microstructures du troisième motif microstructuré.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)