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1. (WO2011014245) METHOD FOR FABRICATING COPPER-CONTAINING TERNARY AND QUATERNARY CHALCOGENIDE THIN FILMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2011/014245 International Application No.: PCT/US2010/002104
Publication Date: 03.02.2011 International Filing Date: 27.07.2010
IPC:
C23C 18/12 (2006.01) ,H01L 21/00 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
Applicants: OLADEJI, Isaiah, O.[US/US]; US
Inventors: OLADEJI, Isaiah, O.; US
Agent: SAYKO, Andrew, F., Jr.; 1014 Crooked Oaks Lane Seabrook Island, SC 29455, US
Priority Data:
12/462,14630.07.2009US
Title (EN) METHOD FOR FABRICATING COPPER-CONTAINING TERNARY AND QUATERNARY CHALCOGENIDE THIN FILMS
(FR) PROCÉDÉ POUR FABRIQUER DES FILMS MINCES DE CHALCOGÉNURE TERNAIRE ET QUATERNAIRE CONTENANT DU CUIVRE
Abstract: front page image
(EN) An apparatus for depositing a solid film onto a substrate from a reagent solution includes reservoirs of reagent solutions maintained at a sufficiently low temperature to inhibit homogeneous reactions within the reagent solutions. The chilled solutions are dispensed through showerheads, one at a time, onto a substrate. One of the showerheads includes a nebulizer so that the reagent solution is delivered as a fine mist, whereas the other showerhead delivers reagent as a flowing stream. A heater disposed beneath the substrate maintains the substrate at an elevated temperature at which the deposition of a desired solid phase from the reagent solutions may be initiated. Each reagent solution contains at least one metal and either S or Se, or both. At least one of the reagent solutions contains Cu. The apparatus and its associated method of use are particularly suited to forming films of Cu-containing compound semiconductors.
(FR) L'invention porte sur un appareil pour déposer un film solide sur un substrat à partir d'une solution de réactif, lequel appareil comprend des réservoirs de solutions de réactif maintenus à une température suffisamment basse pour inhiber des réactions homogènes à l'intérieur des solutions de réactif. Les solutions refroidies sont distribuées par l'intermédiaire de têtes de douche, une à la fois, sur un substrat. L'une des têtes de douche comprend un vaporisateur, de telle sorte que la solution de réactif est délivrée sous la forme d'un brouillard fin, tandis que les autres têtes de douche délivrent un réactif sous la forme d'un courant d'écoulement. Un élément chauffant disposé en dessous du substrat maintient le substrat à une température élevée à laquelle la déposition d'une phase solide désirée à partir des solutions de réactif peut être déclenchée. Chaque solution de réactif comprend au moins un métal, et soit S soit Se, soit les deux. Au moins l'une des solutions de réactif contient Cu. L'appareil et son procédé d'utilisation associé sont particulièrement appropriés pour former des films de semi-conducteurs de composé contenant Cu.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)