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1. (WO2011013682) WIRING STRUCTURE, METHOD FOR MANUFACTURING WIRING STRUCTURE, AND DISPLAY DEVICE PROVIDED WITH WIRING STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/013682    International Application No.:    PCT/JP2010/062648
Publication Date: 03.02.2011 International Filing Date: 27.07.2010
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01)
Applicants: KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO [JP/JP]; 10-26, Wakinohama-cho 2-chome, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6518585 (JP) (For All Designated States Except US).
GOTO Hiroshi; (For US Only).
MAEDA Takeaki; (For US Only)
Inventors: GOTO Hiroshi; .
MAEDA Takeaki;
Agent: OGURI Shohei; Eikoh Patent Firm, Toranomon East Bldg. 10F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Priority Data:
2009-174416 27.07.2009 JP
Title (EN) WIRING STRUCTURE, METHOD FOR MANUFACTURING WIRING STRUCTURE, AND DISPLAY DEVICE PROVIDED WITH WIRING STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE CÂBLAGE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE CÂBLAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE DOTÉ DE LA STRUCTURE DE CÂBLAGE
(JA) 配線構造およびその製造方法、並びに配線構造を備えた表示装置
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a wiring structure, with which, in display devices, such as an organic EL display and a liquid crystal display, a semiconductor layer and, for instance, an Al film that configures a source electrode and a drain electrode, can be stably and directly connected, and galvanic corrosion is not easily generated between the semiconductor layer and the Al film in an electrolyte solution used in wet process, and peeling of the Al film can be suppressed. In the wiring structure, the semiconductor layer of a thin film transistor, and the Al alloy film directly connected with the semiconductor layer are provided on a substrate in this order from the substrate side. The semiconductor layer is composed of an oxide semiconductor, and the Al alloy film includes Ni and/or Co.
(FR)L'invention concerne un dispositif de câblage au moyen duquel, dans des dispositifs d'affichage tels que des écrans d'affichage électroluminescents organiques et des écrans d'affichage à cristaux liquides, on peut connecter directement et de façon stable une couche semi-conductrice et par exemple un film d'aluminium réalisant une électrode de source et une électrode de drain, grâce à quoi on évite le risque de corrosion galvanique entre la couche de semi-conducteur et le film d'aluminium dans une solution électrolytique utilisée dans un processus humide et grâce auquel on peut éviter le pelage du film d'aluminium. Dans la structure de câblage, la couche semi-conductrice d'un transistor à couche mince et le film d'alliage d'aluminium connecté directement à la couche semi-conductrice sont placés sur un substrat, dans cet ordre, à partir de la face du substrat. La couche semi-conductrice est constituée d'un oxyde semi-conducteur et le film d'alliage d'aluminium comprend du nickel et/ou du cobalt.
(JA) 有機ELディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、半導体層と例えばソース電極やドレイン電極を構成するAl系膜とを安定して直接接続させることが可能であるとともに、ウェットプロセスで用いる電解質液中で、前記半導体層とAl系膜との間でガルバニック腐食が生じにくく、Al系膜の剥離を抑制することのできる配線構造を提供する。基板の上に、基板側から順に、薄膜トランジスタの半導体層と、前記半導体層と直接接続するAl合金膜と、を備えた配線構造であって、前記半導体層は酸化物半導体からなり、前記Al合金膜は、NiおよびCoのうち少なくとも1つを含む配線構造である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)