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1. (WO2011013556) METHOD FOR CUTTING OBJECT TO BE PROCESSED
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/013556    International Application No.:    PCT/JP2010/062250
Publication Date: 03.02.2011 International Filing Date: 21.07.2010
IPC:
B28D 5/00 (2006.01), B23K 26/00 (2006.01), B23K 26/38 (2006.01), B23K 26/40 (2006.01), H01L 21/301 (2006.01)
Applicants: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP) (For All Designated States Except US).
SHIMOI Hideki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
UCHIYAMA Naoki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KAWAGUCHI Daisuke [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SHIMOI Hideki; (JP).
UCHIYAMA Naoki; (JP).
KAWAGUCHI Daisuke; (JP)
Agent: HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl. 1-1, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2009-175836 28.07.2009 JP
Title (EN) METHOD FOR CUTTING OBJECT TO BE PROCESSED
(FR) PROCÉDÉ DE DÉCOUPE D'UN OBJET À TRAITER
(JA) 加工対象物切断方法
Abstract: front page image
(EN)Since the principal surface of a silicon substrate (12) is (100) surface, a crack (17) generated starting from a melt treatment region (13) extends in the cleavage direction of the silicon substrate (12) (direction orthogonal to the principal surface of the silicon substrate (12)). In this case, since the back surface (1b) of an object (1A) to be processed and the front surface (10a) of an object (10A) to be processed for separation are bonded by anodic bonding, the crack (17) reaches the front surface (1a) of the object (1A) to be processed in a continuous fashion and without almost changing the direction thereof. In addition, when a stress is generated in the object (10A) to be processed for separation, since the crack (17) reaches the back surface (10b) of the object (10A) to be processed for separation, the crack (17) easily extends on the side of the object (1A) to be processed.
(FR)Etant donné que la surface principale d'un substrat de silicium (12) est une surface (100), une fissure (17) produite à partir d'une région de traitement de fusion (13) s'étend dans la direction de clivage du substrat de silicium (12) (direction orthogonale à la surface principale du substrat de silicium (12)). Dans ce cas, étant donné que la surface arrière (1b) d'un objet (1A) à traiter et la surface avant (10a) d'un objet (10A) à traiter en vue d'une séparation sont liées par liaison anodique, la fissure (17) atteint la surface avant (1a) de l'objet (1A) à traiter de façon continue et quasiment sans changer la direction de celle-ci. De plus, lorsqu'une contrainte est produite dans l'objet (10A) à traiter en vue de la séparation, étant donné que la fissure (17) atteint la surface arrière (10b) de l'objet (10A) à traiter en vue de la séparation, la fissure (17) s'étend facilement sur le côté de l'objet (1A) à traiter.
(JA) シリコン基板12の主面が(100)面となっているため、溶融処理領域13を起点として発生した亀裂17は、シリコン基板12の劈開方向(シリコン基板12の主面と直交する方向)に伸展する。このとき、加工対象物1Aの裏面1bと分断用加工対象物10Aの表面10aとが陽極接合によって接合されているため、亀裂17は、連続的に且つその方向を殆ど変えることなく、加工対象物1Aの表面1aに到達する。しかも、分断用加工対象物10Aに応力を生じさせる際には、亀裂17が分断用加工対象物10Aの裏面10bに到達しているため、亀裂17は、加工対象物1A側に容易に伸展する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)