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1. (WO2011013412) NON-CONTACT CURRENT SENSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/013412    International Application No.:    PCT/JP2010/056508
Publication Date: 03.02.2011 International Filing Date: 12.04.2010
IPC:
G01R 15/20 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Applicants: Fuji Electric Holdings Co., Ltd. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2100856 (JP) (For All Designated States Except US).
OGIMOTO, Yasushi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OGIMOTO, Yasushi; (JP)
Agent: OKUYAMA, Shoichi; 7th Floor, Akasaka Eight One Building, 13-5, Nagata-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000014 (JP)
Priority Data:
2009-174458 27.07.2009 JP
Title (EN) NON-CONTACT CURRENT SENSOR
(FR) CAPTEUR DE COURANT SANS CONTACT
(JA) 非接触電流センサ
Abstract: front page image
(EN)A non-contact current sensor comprises a spin-valve structure (2), an electric means (4) for applying current to the spin-valve structure (2), and a resistance reading means (5) for electrically reading the resistance value of the spin-valve structure (2), and is configured so that the coercive force of a free layer (14) becomes greater than a current-induced magnetic field to be detected. The electric means (4) applies current to the spin-valve structure (2), thereby allowing the magnetization orientations of a pinned layer (12) and the free layer (14) to make a transition between a mutually parallel state and a mutually anti-parallel state. The resistance reading means (5) reads a resistance value corresponding to the transition between the parallel state and the anti-parallel state, thereby detecting a current threshold value or a current-induced magnetic field corresponding to the transition.
(FR)La présente invention concerne un capteur de courant sans contact qui comprend une structure à vanne de spin (2), un moyen électrique (4) permettant d'appliquer un courant à ladite structure (2), et un moyen de lecture de résistance (5) permettant de lire électriquement la valeur de résistance de la structure à vanne de spin (2). Ledit capteur est également conçu pour que la force de coercition d'une couche libre (14) devienne supérieure à un champ magnétique induit par un courant devant être détecté. Le moyen électrique (4) applique un courant à la structure à vanne de spin (2), ce qui permet que les orientations de magnétisation d'une couche piégée (12) et de la couche libre (14) fassent une transition entre un état mutuellement parallèle et un état mutuellement antiparallèle. Le moyen de lecture de résistance (5) lit une valeur de résistance correspondant à la transition entre l'état parallèle et l'état antiparallèle, ce qui détecte une valeur seuil de courant ou un champ magnétique induit par le courant correspondant à la transition.
(JA) 本発明は、スピンバルブ構造2と、スピンバルブ構造2に電流を印加する電気的手段4と、スピンバルブ構造2の抵抗値を電気的に読出す抵抗読出手段5とを備え、フリー層14の保磁力が、検知対象とする電流誘起磁場よりも大きくなるように構成され、電気的手段4が、スピンバルブ構造2に電流を印加することによって、ピン層12とフリー層14の磁化の向きを相互に平行な状態と相互に反平行な状態との間で遷移させるようになっており、抵抗読出手段5が、平行な状態と反平行な状態との間の遷移に対応する抵抗値を読出すことにより、遷移に対応する電流の閾値もしくは電流誘起磁場を検知するようになっている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)