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1. (WO2011013380) MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR APPARATUS AND SEMICONDUCTOR APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/013380    International Application No.:    PCT/JP2010/004826
Publication Date: 03.02.2011 International Filing Date: 29.07.2010
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: FUJI ELECTRIC SYSTEMS CO., LTD. [JP/JP]; 11-2, Osaki 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410032 (JP) (For All Designated States Except US).
NIIMURA, Yasushi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
WATANABE, Sota [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAKAHASHI, Hidenori [JP/JP]; (JP) (For US Only).
FUJIMOTO, Takumi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NISHIMURA, Takeyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
WAKABAYASHI, Takamasa [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NIIMURA, Yasushi; (JP).
WATANABE, Sota; (JP).
TAKAHASHI, Hidenori; (JP).
FUJIMOTO, Takumi; (JP).
NISHIMURA, Takeyoshi; (JP).
WAKABAYASHI, Takamasa; (JP)
Agent: SAKAI, Akinori; A. SAKAI & ASSOCIATES, 20F, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
Priority Data:
2009-180132 31.07.2009 JP
2009-216122 17.09.2009 JP
Title (EN) MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR APPARATUS AND SEMICONDUCTOR APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN APPAREIL SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A screen oxide film is formed on an n- drift layer (2) that is disposed on an anterior side of an n-type low-resistance layer (1), and a nitride film is formed on the screen oxide film. The nitride film is photo-etched using a first mask and thereby, a nitride shielding film (61) is formed. N-type impurity ions at a concentration higher than that of the n- drift layer are implanted through the nitride shielding film (61) from an anterior side of a semiconductor substrate and are thermally diffused and thereby, an n counter layer (7) is formed. The screen oxide film is removed. A gate oxide film (3a) is formed. A gate electrode (9) is formed on the gate oxide film (3a). P-type impurity ions are implanted from the anterior side of the semiconductor substrate using the gate electrode (9) and the nitride shielding film (61) as a mask and thereby, p- well regions (10) are formed. N-type impurity ions are implanted from the anterior side of the semiconductor substrate using the gate electrode (9) and the nitride shielding film (61) as a mask and thereby, n source regions (11) are formed.
(FR)Une couche d'oxyde de blindage est formée sur une couche de migration n- (2) qui est disposée sur un côté antérieur d'une couche de faible résistance de type N (1), et un film de nitrure est formé sur la couche d'oxyde de blindage. Le film de nitrure est photogravé à l'aide d'un premier masque et, de la sorte, un film de blindage de nitrure (61) est formé. Des ions d'impureté de type N à une concentration supérieure à celle de la couche de migration n- sont implantés à travers le film de blindage de nitrure (61) à partir d'un côté antérieur d'un substrat semi-conducteur et sont thermiquement diffusés et, par conséquent, une contre-couche N (7) est formée. La couche d'oxyde de blindage est supprimée. Une couche d'oxyde de grille (3a) est formée. Une électrode de grille (9) est formée sur la couche d'oxyde de grille (3a). Des ions d'impureté de type P sont implantés à partir du côté antérieur du substrat semi-conducteur à l'aide de l'électrode de grille (9) et du film de blindage de nitrure (61) en tant que masque et, par conséquent, des zones de puits p- (10) sont formées. Des ions d'impureté de type N sont implantés à partir du côté antérieur du substrat semi-conducteur à l'aide de l'électrode de grille (9) et du film de blindage de nitrure (61) en tant que masque et, par conséquent, des zones de source N (11) sont formées.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)