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Pub. No.:    WO/2011/013280    International Application No.:    PCT/JP2010/003294
Publication Date: 03.02.2011 International Filing Date: 17.05.2010
H01L 21/26 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01)
Applicants: Covalent Materials Corporation [JP/JP]; 6-3, Ohsaki 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410032 (JP) (For All Designated States Except US).
SENDA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ISOGAI, Hiromichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TOYODA, Eiji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MURAYAMA, Kumiko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ARAKI, Koji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
AOKI, Tatsuhiko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUDO, Haruo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IZUNOME, Koji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MAEDA, Susumu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KASHIMA, Kazuhiko [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SENDA, Takeshi; (JP).
ISOGAI, Hiromichi; (JP).
TOYODA, Eiji; (JP).
MURAYAMA, Kumiko; (JP).
ARAKI, Koji; (JP).
AOKI, Tatsuhiko; (JP).
SUDO, Haruo; (JP).
IZUNOME, Koji; (JP).
MAEDA, Susumu; (JP).
KASHIMA, Kazuhiko; (JP)
Agent: KINOSHITA, Shigeru; 11Fl. Pacific Marks Kawasaki, 11-1 Ekimaehoncho, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2100007 (JP)
Priority Data:
2009-174024 27.07.2009 JP
(JA) シリコンウェーハの熱処理方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a method for heat treating a silicon wafer, wherein grown-in defects can be further reduced, while suppressing generation of slips during RTP, and in addition, roughness of the surface of a silicon wafer to be obtained can be improved after the RTP. The temperature of the silicon wafer is rapidly increased to a first temperature (T1), which is not below 1300°C but not above the melting point of silicon, at a first temperature increase speed in rare gas atmosphere, and after keeping the first temperature (T1), the temperature is rapidly reduced to a second temperature (T2) of 400-800°C at a first temperature reduction speed. Then, after switching the rare gas atmosphere to oxygen-containing atmosphere which contains an oxygen gas of 20-100 vol.%, the temperature is rapidly increased from the second temperature (T2) to a third temperature (T3), which is not below 1250°C but not above the melting point of silicon, at a second temperature increase speed, and after keeping the third temperature (T3), the temperature is rapidly reduced from the third temperature (T3) at a second temperature reduction speed.
(FR)La présente invention a trait à un procédé permettant de traiter thermiquement une tranche de silicium, au moyen duquel il est possible de réduire davantage les défauts intégrés tout en supprimant la génération de glissements au cours du RTP. Ledit procédé permet d'autre part d'améliorer après le RTP la rugosité de la surface d'une tranche de silicium devant être obtenue. La température de la tranche de silicium est rapidement augmentée pour atteindre une première température (T1), qui est supérieure à 1300 °C mais inférieure au point de fusion du silicium, à une première vitesse d'augmentation de température dans une atmosphère de gaz rare. Après une étape consistant à maintenir la première température (T1), la température est rapidement réduite pour atteindre une deuxième température (T2) de 400 à 800 °C à une première vitesse de réduction de température. Ensuite, après une étape consistant à modifier l'atmosphère de gaz rare pour obtenir une atmosphère contenant de l'oxygène qui contient de 20 à 100 % en volume d'un gaz oxygène, la température est rapidement augmentée de la deuxième température (T2) à une troisième température (T3), qui est supérieure 1250 °C mais inférieure au point de fusion du silicium, à une seconde vitesse d'augmentation de température. Enfin, après une étape consistant à maintenir la troisième température (T3), la température est rapidement réduite de la troisième température (T3) à une seconde vitesse de réduction de température.
(JA) RTP時におけるスリップの発生を抑制しつつ、Grown-in欠陥の低減力を向上させることができ、加えて、RTP後、得られるシリコンウェーハの表面荒れも改善することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。 シリコンウェーハに対して、希ガス雰囲気中、第1の昇温速度で1300℃以上シリコンの融点以下の第1の温度T1まで急速昇温し、第1の温度T1を保持した後、第1の降温速度で400℃以上800℃以下の第2の温度T2まで急速降温し、続いて、希ガス雰囲気から酸素ガスを20vol.%以上100vol.%以下含有する酸素含有雰囲気に切り替えた後、第2の昇温速度で第2の温度T2から1250℃以上シリコンの融点以下の第3の温度T3まで急速昇温し、第3の温度T3で保持した後、第2の降温速度で第3の温度T3から急速降温する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)