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1. (WO2011012559) POST ION IMPLANT STRIPPER FOR ADVANCED SEMICONDUCTOR APPLICATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2011/012559 International Application No.: PCT/EP2010/060762
Publication Date: 03.02.2011 International Filing Date: 26.07.2010
IPC:
H01L 21/311 (2006.01) ,G03F 7/42 (2006.01)
Applicants: CHEN, ChienShin; TW (UsOnly)
SHEN, MeiChin; TW (UsOnly)
CHAN, ChiaHao; TW (UsOnly)
KLIPP, Andreas[DE/DE]; DE (UsOnly)
BASF SE[DE/DE]; 67056 Ludwigshafen, DE (AllExceptUS)
Inventors: CHEN, ChienShin; TW
SHEN, MeiChin; TW
CHAN, ChiaHao; TW
KLIPP, Andreas; DE
Common
Representative:
BASF SE; 67056 Ludwigshafen, DE
Priority Data:
61/229,76030.07.2009US
Title (EN) POST ION IMPLANT STRIPPER FOR ADVANCED SEMICONDUCTOR APPLICATION
(FR) DÉCAPANT UTILISABLE APRÈS UNE IMPLANTATION IONIQUE POUR DES APPLICATIONS AVANCÉES DANS LE DOMAINE DES SEMI-CONDUCTEURS
Abstract:
(EN) The present invention relates to a substantially water-free photoresist stripping composition. Particularly, the present invention relates to a substantially water-free photoresist stripping composition useful in removing the photoresist after ion-implant process, comprising: (a) an amine, (b) an organic solvent A, and (c) a co-solvent, wherein the composition is substantially water-free (<3wt% H2O). The present invention also provides a process for post-ion implantation stripping by using the composition of the present invention.
(FR) La présente invention concerne une composition de décapage de résine photosensible sensiblement exempte d'eau. En particulier, la présente invention concerne une composition de décapage de résine photosensible sensiblement exempte d'eau utile pour retirer la résine photosensible après un procédé d'implantation ionique, la composition contenant : (a) une amine, (b) un solvant organique A et (c) un co-solvant, la composition étant sensiblement exempte d'eau (< 3 % en poids de H2O). La présente invention concerne également un procédé de décapage après une implantation ionique au moyen de la composition de la présente invention.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)