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1. (WO2011011871) REDUNDANCY SYSTEM FOR NON-VOLATILE MEMORY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2011/011871    International Application No.:    PCT/CA2010/001146
Publication Date: 03.02.2011 International Filing Date: 26.07.2010
IPC:
G11C 29/04 (2006.01), G11C 17/18 (2006.01)
Applicants: SIDENSE CORP. [CA/CA]; 84 Hines Road, Suite 260 Ottawa, Ontario K2K 3G3 (CA) (For All Designated States Except US).
KURJANOWICZ, Wlodek [CA/CA]; (CA) (For US Only).
ABDAT , Mourad [CA/CA]; (CA) (For US Only)
Inventors: KURJANOWICZ, Wlodek; (CA).
ABDAT , Mourad; (CA)
Agent: HUNG , Shin; BORDEN LADNER GERVAIS LLP World Exchange Plaza 100 Queen Street, Suite 1100 Ottawa, Ontario K1P 1J9 (CA)
Priority Data:
61/228,704 27.07.2009 US
Title (EN) REDUNDANCY SYSTEM FOR NON-VOLATILE MEMORY
(FR) SYSTÈME DE REDONDANCE POUR MÉMOIRE NON VOLATILE
Abstract: front page image
(EN)A redundancy scheme for Non-Volatile Memories (NVM) is described. This redundancy scheme provides means for using defective cells in non-volatile memories to increase yield. The algorithm is based on inverting the program data for data being programmed to a cell grouping when a defective cell is detected in the cell grouping. Defective cells are biased to either 1 or 0 logic states, which are effectively preset to store its biased logic state. A data bit to be stored in a defective cell having a logic state that is complementary to the biased logic state of the cell results in the program data being inverted and programmed. An inversion status bit is programmed to indicate the inverted status of the programmed data. During read out, the inversion status bit causes the stored data to be re-inverted into its original program data state.
(FR)L'invention porte sur un schéma de redondance pour mémoires non volatiles (NVM). Ce schéma de redondance fournit des moyens permettant d'utiliser des cellules défectueuses dans des mémoires non volatiles afin d'en augmenter le rendement. L'algorithme se fonde sur l'inversion de données de programme pour des données programmées vers un groupement de cellules lorsqu'une cellule défectueuse est détectée dans le groupement de cellules. Les cellules défectueuses sont orientées vers les états logiques 1 ou 0, les cellules étant préréglées efficacement pour mémoriser leur état logique orienté. Un élément binaire de données devant être mémorisé dans une cellule défectueuse dont l'état logique est complémentaire de l'état logique orienté de la cellule conduit à l'inversion et à la programmation des données de programme. Un élément binaire de statut d'inversion est programmé afin d'indiquer le statut inversé des données programmées. Lors de la lecture, l'élément binaire de statut d'inversion amène les données mémorisées à être de nouveau inversées dans leur état initial de données de programme.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)