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1. WO2011011532 - HOLLOW CATHODE SHOWERHEAD

Publication Number WO/2011/011532
Publication Date 27.01.2011
International Application No. PCT/US2010/042773
International Filing Date 21.07.2010
IPC
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04
the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18
the devices having semiconductor bodies comprising elements of the fourth group of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
20
Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth
205
using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
H01L 21/205 (2006.01)
CPC
C23C 16/452
C23C 16/45565
C23C 16/45574
C30B 25/105
C30B 25/14
H01J 2237/2001
Applicants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US (AllExceptUS)
  • QUACH, David [US/US]; US (UsOnly)
  • ISHIKAWA, Tetsuya [JP/US]; US (UsOnly)
  • KRYLIOUK, Olga [US/US]; US (UsOnly)
  • BURROWS, Brian [US/US]; US (UsOnly)
  • TAM, Alexander [US/US]; US (UsOnly)
  • POON, Tze [US/US]; US (UsOnly)
  • CHANG, Anzhong [US/US]; US (UsOnly)
Inventors
  • QUACH, David; US
  • ISHIKAWA, Tetsuya; US
  • KRYLIOUK, Olga; US
  • BURROWS, Brian; US
  • TAM, Alexander; US
  • POON, Tze; US
  • CHANG, Anzhong; US
Agents
  • PATTERSON, Todd, B.; Patterson & Sheridan, L.L.P. 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500 Houston, Texas 77056-6582, US
Priority Data
61/227,66422.07.2009US
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) HOLLOW CATHODE SHOWERHEAD
(FR) ÉLECTRODE DE TYPE POMMEAU DE DOUCHE À CATHODE CREUSE
Abstract
(EN)
Embodiments of the present invention provide method and apparatus for performing metal HVPE or MOCVD process using radicals from a plasma. One embodiment of the present invention provides a processing chamber having a gas distribution assembly configured to generate a plasma and provide one or more radical species to a processing volume while shielding electrical field of the plasma from the processing volume. In one embodiment the gas distribution assembly has a plurality of passages defined by a bore connected to a cone, wherein the aspect ratio of the bore is adjusted to allow passage of radicals in the plasma and retain the electrical field of the plasma.
(FR)
Certains modes de réalisation de la présente invention concernent un procédé et un appareil pour effectuer un procédé d'épitaxie hybride en phase vapeur (HVPE) ou de dépôt chimique en phase vapeur par composés organométalliques (MOCVD) au moyen de radicaux issus d'un plasma. Un mode de réalisation de la présente invention consiste à utiliser une chambre de traitement qui comprend un ensemble de distribution de gaz conçu pour générer un plasma et à amener une ou plusieurs espèces de radicaux dans un volume de traitement tout en protégeant le champ électrique du plasma du volume de traitement. Dans un mode de réalisation, l'ensemble de distribution de gaz comprend une pluralité de passages définis par un alésage relié à un cône, le rapport de forme de l'alésage étant ajusté pour permettre le passage des radicaux dans le plasma et retenir le champ électrique du plasma.
Also published as
Latest bibliographic data on file with the International Bureau