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1. WO2011005663 - BAD COLUMN MANAGEMENT WITH BIT INFORMATION IN NON-VOLATILE MEMORY SYSTEMS

Publication Number WO/2011/005663
Publication Date 13.01.2011
International Application No. PCT/US2010/040828
International Filing Date 01.07.2010
IPC
G11C 29/00 2006.01
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
29Checking stores for correct operation; Testing stores during standby or offline operation
CPC
G11C 16/10
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
10Programming or data input circuits
G11C 29/00
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
29Checking stores for correct operation ; ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
G11C 29/808
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
29Checking stores for correct operation ; ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
78using programmable devices
80with improved layout
808using a flexible replacement scheme
Applicants
  • SANDISK TECHNOLOGIES INC. [US]/[US] (AllExceptUS)
  • LI, Yan [US]/[US] (UsOnly)
  • KIM, Kwang-ho [KR]/[US] (UsOnly)
  • TSAI, Frank W. [CN]/[US] (UsOnly)
  • BOTTELLI, Aldo [IT]/[US] (UsOnly)
Inventors
  • LI, Yan
  • KIM, Kwang-ho
  • TSAI, Frank W.
  • BOTTELLI, Aldo
Agents
  • CLEVELAND, Michael G.
Priority Data
12/498,22006.07.2009US
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) BAD COLUMN MANAGEMENT WITH BIT INFORMATION IN NON-VOLATILE MEMORY SYSTEMS
(FR) GESTION DES MAUVAISES COLONNES AVEC DES INFORMATIONS BINAIRES DANS DES SYSTÈMES DE MÉMOIRE NON VOLATILES
Abstract
(EN)
Column based defect management techniques are presented. Each column of the memory has an associated isolation latch or register whose value indicates whether the column is defective, but in addition to this information, for columns marked as defective, additional information is used to indicate whether the column as a whole is to be treated as defective, or whether just individual bits of the column are defective. The defective elements can then be re-mapped to a redundant element at either the appropriate bit or column level based on the data. When a column is bad, but only on the bit level, the good bits can still be used for data, although this may be done at a penalty of under programming for some bits, as is described further below. A self contained Built In Self Test (BIST) flow constructed to collect the bit information through a set of column tests is also described. Based on this information, the bad bits can be extracted and re-grouped into bytes by the controller or on the memory to more efficiently use the column redundancy area.
(FR)
L'invention porte sur des techniques de gestion de défaut au niveau des colonnes. Chaque colonne de la mémoire possède un verrou ou un registre d'isolation associé, dont la valeur indique si la colonne est ou non défectueuse, mais, outre cette information, pour les colonnes marquées comme étant défectueuses, une information supplémentaire est utilisée pour indiquer si la colonne, dans son ensemble, doit ou non être traitée comme étant défectueuse, ou si seuls certains bits individuels de la colonne sont, ou non, défectueux. Les éléments défectueux peuvent ensuite être re-mappés à un élément redondant, au niveau approprié de la colonne ou des bits, sur la base des données. Quand une colonne est mauvaise, mais seulement au niveau des bits, les bons bits peuvent encore être utilisés pour des données, bien que cela puisse être fait moyennant une pénalité correspondant à une sous-programmation de certains bits, comme décrit plus en détail ci-dessous. L'invention porte aussi sur un flux de Test Intégré (BIST), configuré de façon à recueillir l'information sur les bits, grâce à un ensemble de tests sur les colonnes. Sur la base de cette information, les bits mauvais peuvent être extraits et regroupés en octets par le contrôleur, ou sur la mémoire, pour assurer une utilisation plus efficace de la zone de redondance des colonnes.
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