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1. (WO2010151888) LOW-LEVEL SIGNAL DETECTION BY SEMICONDUCTOR AVALANCHE AMPLIFICATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/151888    International Application No.:    PCT/US2010/040241
Publication Date: 29.12.2010 International Filing Date: 28.06.2010
IPC:
H01L 31/107 (2006.01)
Applicants: AMPLIFICATION TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 1400 Coney Island Avenue Brooklyn, NJ 11230 (US) (For All Designated States Except US).
LINGA, Krishna [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: LINGA, Krishna; (US)
Agent: ROSSI, David, V.; Frommer Lawrence & Haug LLP 745 Fifth Avenue New York, NY 10151 (US)
Priority Data:
61/220,709 26.06.2009 US
Title (EN) LOW-LEVEL SIGNAL DETECTION BY SEMICONDUCTOR AVALANCHE AMPLIFICATION
(FR) DÉTECTION DE SIGNAL DE NIVEAU RÉDUIT PAR AMPLIFICATION À AVALANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A system and method providing for the detection of an input signal, either optical or electrical, by using a single independent discrete amplifier or by distributing the input signal into independent signal components that are independently amplified. The input signal can either be the result of photoabsorption process in the wavelengths greater than 950nm or a low-level electrical signal. The discrete amplifier is an avalanche amplifier operable in a non-gated mode while biased in or above the breakdown region, and includes a composite dielectric feedback layer monolithically integrated with input signal detection and amplification semiconductor layers.
(FR)L'invention concerne un système et un procédé permettant la détection d'un signal d'entrée, optique ou électrique, en utilisant un seul amplificateur discret indépendant ou en distribuant le signal d'entrée en composants de signal indépendants amplifiés de façon indépendante. Le signal d'entrée peut être le résultat d'un procédé de photoabsorption dans les longueurs d'ondes supérieures à 950 nm ou un signal électrique de niveau réduit. L'amplificateur discret est un amplificateur à avalanche utilisable dans un mode non commandé par porte tout en étant polarisé dans la région de claquage ou au-dessus de celle-ci, et comprend une couche de rétroaction diélectrique composite intégrée de façon monolithique avec des couches de semi-conducteur de détection et d'amplification de signal d'entrée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)