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1. (WO2010151862) PROCESS OF FORMING A GRID CATHODE ON THE FRONT-SIDE OF A SILICON WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/151862    International Application No.:    PCT/US2010/040147
Publication Date: 29.12.2010 International Filing Date: 28.06.2010
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01), H01B 1/22 (2006.01)
Applicants: E. I. du Pont de Nemours and Company [US/US]; 1007 Market Street Wilmington, Delaware 19898 (US) (For All Designated States Except US).
LAUDISIO, Giovanna [IT/IT]; (IT) (For US Only).
HANG, Kenneth, Warren [US/US]; (US) (For US Only).
YOUNG, Richard, John, Sheffield [GB/GB]; (GB) (For US Only)
Inventors: LAUDISIO, Giovanna; (IT).
HANG, Kenneth, Warren; (US).
YOUNG, Richard, John, Sheffield; (GB)
Agent: CARTY, Sherry; E. I. du Pont de Nemours and Company Legal Patent Records Center 4417 Lancaster Pike Wilmington, Delaware 19805 (US)
Priority Data:
61/220,633 26.06.2009 US
Title (EN) PROCESS OF FORMING A GRID CATHODE ON THE FRONT-SIDE OF A SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE CATHODE DE GRILLE SUR LE CÔTÉ AVANT D'UNE TRANCHE DE SILICIUM
Abstract: front page image
(EN)A process for the production of a grid cathode on the front-side of a silicon wafer by applying and firing a metal paste on the silicon wafer in a front-side grid electrode pattern to form a seed grid cathode and subsequently subjecting the silicon wafer to a LIP process, wherein the metal paste comprises an organic vehicle and an inorganic content comprising (a) 90 to 98 wt.-% of at least one electrically conductive metal powder selected from the group consisting of nickel, copper and silver, and (b) 0.25 to 8 wt.-% of at least one glass frit selected from the group consisting of glass frits containing 47.5 to 64.3 wt.-% of PbO, 23.8 to 32.2 wt.-% of SiO2, 3.9 to 5.4 wt.-% of Al2O3, 2.8 to 3.8 wt.-% of TiO2 and 6.9 to 9.3 wt.-% of B2O3.
(FR)L'invention porte sur un procédé de production d'une cathode de grille sur le côté avant d'une tranche de silicium par application et cuisson d'une pâte métallique sur la tranche de silicium selon un motif d'électrode de grille de côté avant pour former une cathode de grille d'ensemencement et ensuite soumission de la tranche de silicium à un processus LIP, la pâte métallique comprenant un véhicule organique et un contenu inorganique comprenant (a) de 90 à 98 % en poids d'au moins une poudre de métal électriquement conducteur choisie dans le groupe comprenant le nickel, le cuivre et l'argent, et (b) de 0,25 à 8 % en poids d'au moins une fritte de verre choisie dans le groupe comprenant les frittes de verre contenant de 47,5 à 64,3 % en poids de PbO, de 23,8 à 32,2 % en poids de SiO2, de 3,9 à 5,4 % en poids de Al2O3, de 2,8 à 3,8 % en poids de TiO2 et de 6,9 à 9,3 % en poids de B2O3.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)