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1. (WO2010151513) DAMAGE-FREE HIGH EFFICIENCY PARTICLE REMOVAL CLEAN
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/151513    International Application No.:    PCT/US2010/039396
Publication Date: 29.12.2010 International Filing Date: 21.06.2010
IPC:
C23G 1/00 (2006.01)
Applicants: LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, CA 94538-6470 (US) (For All Designated States Except US).
MIKHAYLICHENKO, Katrina [RU/US]; (US) (For US Only)
Inventors: MIKHAYLICHENKO, Katrina; (US)
Agent: MINISANDRAM, Jayanthi; Martine Penilla & Gencarella, LLP 710 Lakeway Drive, Suite 200 Sunnyvale, CA 94085 (US)
Priority Data:
12/491,213 24.06.2009 US
Title (EN) DAMAGE-FREE HIGH EFFICIENCY PARTICLE REMOVAL CLEAN
(FR) NETTOYAGE POUR L'ÉLIMINATION DE PARTICULES À HAUT RENDEMENT ET SANS RISQUE
Abstract: front page image
(EN)A system, method and an apparatus to remove contaminants from a semiconductor substrate surface includes application of a cleaning material. The cleaning material includes a cleaning solution and a plurality of micron-sized dry polyvinyl particles dispersed in the cleaning solution. The cleaning solution is a single phase polymeric compound that is made of long polymeric chains and exhibits distinct viscoelastic properties. The plurality of micron-sized dry polyvinyl alcohol particles absorb the liquid in the cleaning solution and become uniformly suspended within the cleaning material. The suspended polyvinyl alcohol particles interact with at least some of contaminants on the semiconductor substrate surface to release and remove the contaminants from the substrate surface. The released contaminants are entrapped within the cleaning material and removed with the cleaning material leaving behind a substantially clean substrate surface.
(FR)La présente invention se rapporte à un système, à un procédé et à un appareil permettant de retirer des contaminants d'une surface de substrat semi-conducteur et comprenant l'application d'un matériau de nettoyage. Le matériau de nettoyage comprend une solution de nettoyage et une pluralité de particules de polyvinyle sèches de la taille du micromètre dans la solution de nettoyage. La solution de nettoyage est un composé polymère monophasique qui est composé de longues chaînes de polymères et présente des propriétés viscoélastiques distinctes. La pluralité de particules d'alcool polyvinylique sèches de la taille du micromètre absorbent le liquide dans la solution de nettoyage et sont suspendues de façon uniforme dans le matériau de nettoyage. Les particules d'alcool polyvinylique suspendues interagissent avec au moins quelques contaminants sur la surface du substrat semi-conducteur pour libérer et retirer les contaminants de la surface du substrat. Les contaminants libérés sont pris au piège dans le matériau de nettoyage et retirés avec le matériau de nettoyage, laissant derrière une surface de substrat sensiblement propre.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)