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1. (WO2010151478) METHOD OF MAKING A SEMICONDUCTOR OPTICAL DETECTOR STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/151478    International Application No.:    PCT/US2010/039008
Publication Date: 29.12.2010 International Filing Date: 17.06.2010
IPC:
H01L 31/102 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504 (US) (For All Designated States Except US).
DE SOUZA, Joel [BR/US]; (US) (For US Only).
HOVEL, Harold [US/US]; (US) (For US Only).
INNS, Daniel [AU/US]; (US) (For US Only).
KIM, Jee [KR/US]; (US) (For US Only).
SADANA, Devendra [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: DE SOUZA, Joel; (US).
HOVEL, Harold; (US).
INNS, Daniel; (US).
KIM, Jee; (US).
SADANA, Devendra; (US)
Agent: PERCELLO, Louis; International Business Machines Corporation 1101 Kitchawan Road, Route 134, Box 218 Yorktown Heights, New York 10598 (US)
Priority Data:
61/219,131 22.06.2009 US
Title (EN) METHOD OF MAKING A SEMICONDUCTOR OPTICAL DETECTOR STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE DÉTECTEUR OPTIQUE À SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A method of making a semiconductor structure is disclosed that deposits a front amorphous semiconductor layer on a front side of a semiconductor substrate and crystallizes the front amorphous semiconductor layer into a front doped crystalline semiconductor layer by applying heat within a low thermal budget temperature. In an alternative embodiment, a back doped crystalline semiconductor layer is added on a back side of the semiconductor substrate in the same way. Preferably the thermal budget temperature is below 700 degrees Centigrade. Alternatively, the thermal budget temperature is a rapid thermal processing temperature where the temperature is less than 900 degrees Centigrade and the time of temperature application is short to keep the thermal budget low. A method of making a tandem structure is also disclosed.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice qui consiste à déposer une couche semi-conductrice amorphe avant sur un côté avant d'un substrat semi-conducteur et à cristalliser la couche semi-conductrice amorphe avant en une couche semi-conductrice cristalline dopée avant par application de chaleur dans les limites d'une température à faible bilan thermique. Dans un autre mode de réalisation, une couche semi-conductrice cristalline dopée arrière est ajoutée sur un côté arrière du substrat semi-conducteur de la même manière. De préférence, la température de bilan thermique est inférieure à 700 degrés Centigrade. En variante, la température de bilan thermique est une température de traitement thermique rapide où la température est inférieure à 900 degrés Centigrade et la durée d'application de la température est courte pour maintenir le bilan thermique à une faible valeur. L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'une structure en tandem.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)