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1. (WO2010150759) ORGANIC ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/150759    International Application No.:    PCT/JP2010/060499
Publication Date: 29.12.2010 International Filing Date: 21.06.2010
IPC:
H01L 51/42 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 14-1, Shiba 4-chome, Minato-ku, Tokyo 1080014 (JP) (For All Designated States Except US).
OIZUMI Junichi; (For US Only).
FUNAYAMA Katsuya; (For US Only).
FUJIWARA Takashi; (For US Only).
YONEYAMA Takahiro; (For US Only).
HANDA Keishin; (For US Only)
Inventors: OIZUMI Junichi; .
FUNAYAMA Katsuya; .
FUJIWARA Takashi; .
YONEYAMA Takahiro; .
HANDA Keishin;
Agent: HAMADA Yuriko; Eikoh Patent Firm, Toranomon East Bldg. 10F 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku Tokyo 1050003 (JP)
Priority Data:
2009-150143 24.06.2009 JP
2009-160791 07.07.2009 JP
Title (EN) ORGANIC ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ORGANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 有機電子デバイス及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)In, for example, a thin-film organic solar battery element wherein the function of a device is not deteriorated for a long period of time, an organic electronic device wherein the reduction of power generation efficiency is suppressed and a method for producing the same. Disclosed is an organic electronic device formed by laminating an organic semiconductor element (B) provided with at least a pair of electrodes, a layer (C) containing a scavenger which absorbs at least one of water and oxygen, and a gas barrier film (d) in this order, wherein one or plural anticorrosion layers (E) is provided between at least one of the pair of electrodes and the layer (C) containing a scavenger which absorbs at least one of water and oxygen; the thickness of the anticorrosion layer (E) is 20 μm or more; the moisture vapor transmission rate (Pe) (g/m2/day) of the anticorrosion layer (E) in 40˚C and 90%RH environment with respect to the moisture vapor transmission rate (Pd) of the gas barrier film (D) in 40˚C and 90%RH environment satisfies a condition of 15g/m2/day≥Pe>Pd; and the moisture vapor transmission rate (Pd) of the gas barrier film (D) satisfies a condition of 10-4≤Pd≤10-1g/m2/day.
(FR)La présente invention concerne, par exemple dans un élément de batterie solaire organique à couche mince dans lequel la fonction d'un dispositif n'est pas détériorée pendant une longue période de temps, un dispositif électronique organique, la réduction de l'efficacité de la génération d'énergie étant supprimée. L'invention concerne également un procédé de fabrication dudit dispositif. Selon l'invention, un dispositif électronique organique est formé par la stratification d'un élément semi-conducteur organique (B) doté d'au moins une paire d'électrodes, d'une couche (C) contenant un accepteur qui absorbe l'eau et/ou l'oxygène, et d'un film barrière aux gaz (d) dans cet ordre. Une ou plusieurs couches anticorrosion (E) sont formées entre au moins une des deux électrodes et la couche (C) contenant un accepteur qui absorbe l'eau et/ou l'oxygène; l'épaisseur de la couche anticorrosion (E) est de 20 μm ou plus; le taux de transmission de la vapeur d'eau (Pe) (g/m2/jour) de la couche anticorrosion (E) dans un environnement à 40 ˚C et une HR de 90 % par rapport au taux de transmission de la vapeur d'eau (Pd) du film barrière aux gaz (D) dans un environnement à 40 ˚C et une HR de 90 % satisfait une condition de 15 g/m2/jour ≥ Pe > Pd; et le taux de transmission de la vapeur d'eau (Pd) du film barrière aux gaz (D) satisfait une condition de 10-4 ≤ Pd ≤ 10-1g/m2/jour.
(JA) 長期的にデバイス機能を劣化させない、例えば、薄膜有機太陽電池素子においては、発電効率を低下が抑制された有機電子デバイス及びその製造方法を提供する。 少なくとも一対の電極を備えた有機半導体素子(B)と、水分及び酸素の少なくとも一方を吸収する捕捉剤を含む層(C)と、ガスバリアフィルム(D)とを順に積層した有機電子デバイスであって、該一対の電極のうち少なくとも一方の電極と該水分及び酸素の少なくとも一方を吸収する捕捉剤を含む層(C)との間に、一層もしくは複数層の防食層(E)を備えており、該防食層(E)の膜厚が20μm以上であり、該防食層(E)の40℃90%RH環境での水蒸気透過率Pe(g/m/day)がガスバリアフィルム(D)の40℃90%RH環境での水蒸気透過率Pdに対して15g/m/day≧Pe>Pdの条件を満たし、かつガスバリアフィルム(D)の水蒸気透過率Pdが10-4≦Pd≦10-1g/m/dayとする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)