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1. (WO2010150638) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND CAMERA
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/150638    International Application No.:    PCT/JP2010/059537
Publication Date: 29.12.2010 International Filing Date: 04.06.2010
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/335 (2011.01), H04N 5/355 (2011.01), H04N 5/372 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01), H04N 5/378 (2011.01)
Applicants: SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP) (For All Designated States Except US).
HIROTA, Isao [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HIROTA, Isao; (JP)
Agent: KAMEYA, Yoshiaki; HAZUKI INTERNATIONAL YOTSUYA, Daiichi Tomizawa Building, 3-1-3, Yotsuya, Shinjuku-ku, Tokyo 1600004 (JP)
Priority Data:
2009-148120 22.06.2009 JP
Title (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND CAMERA
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMICONDUCTEURS ET CAMÉRA
(JA) 固体撮像装置およびカメラ
Abstract: front page image
(EN)Provided are a solid-state imaging device and a camera that: efficiently and rapidly perform a series of operations consisting of generation and accumulation of photocarriers, reading of charge, and sending of residual charge (resetting); do not lose sensitivity towards the blue component of light; prevent carriers from light getting trapped at silicon interfaces; allow increased sensitivity and smaller pixels; and have sufficient drive performance. In the provided solid-state imaging device (1), the power supply for during signal reading is supplied by way of pixel transistors (130) in Y-direction (vertically) adjacent pixels. For resetting, a drive pulse (RsrD) is supplied via a horizontally connected drain line (LDRN).
(FR)L'invention concerne un dispositif d'imagerie à semiconducteurs et une caméra qui : exécutent efficacement et rapidement une série d'opérations consistant à produire et accumuler des photoporteurs, à lire la charge et à envoyer la charge résiduelle (réinitialisation) ; qui ne perdent pas leur sensibilité en allant vers la composante bleue de la lumière ; qui empêchent les photoporteurs d'être capturés aux interfaces de silicium ; qui permettent une sensibilité accrue et des pixels plus petits ; et qui ont des performances d'attaque suffisantes. Dans le dispositif d'imagerie à semiconducteurs (1) de l'invention, l'énergie électrique pendant la lecture du signal est fournie à l'aide de transistors de pixels (130) à des pixels adjacents dans la direction Y (verticalement). Pour la réinitialisation, une impulsion d'attaque (RsrD) est fournie par une ligne de drain (LDRN) connectée horizontalement.
(JA)【課題】フォトキャリアの生成、蓄積、電荷読み出し、残留電荷の送出(リセット)という一連の動作を効率的、高速に行い、光の青に対する感度を劣化させず、光によるキャリアのシリコン界面でのトラップ影響を防ぎ、高感度化と画素の微細化を図ることが可能で、しかも十分な駆動能力を有するフ固体撮像装置およびカメラを提供する。 【解決手段】本実施形態の固体撮像装置1は、信号読み出し駆動時の電源供給はY(縦)方向に隣接する画素トランジスタ130を経由して供給する。そして、本固体撮像装置1は、リセットは横方向に接続されたドレインラインLDRNで駆動パルスRsrDを供給する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)