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1. (WO2010150637) RECONFIGURABLE SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/150637    International Application No.:    PCT/JP2010/059530
Publication Date: 29.12.2010 International Filing Date: 04.06.2010
IPC:
H03K 19/173 (2006.01), H01L 21/82 (2006.01)
Applicants: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (For All Designated States Except US).
SAKIMURA Noboru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NEBASHI Ryusuke [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TADA Ayuka [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUGIBAYASHI Tadahiko [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SAKIMURA Noboru; (JP).
NEBASHI Ryusuke; (JP).
TADA Ayuka; (JP).
SUGIBAYASHI Tadahiko; (JP)
Agent: KUDOH Minoru; 6F, KADOYA BLDG., 24-10, Minamiooi 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1400013 (JP)
Priority Data:
2009-147286 22.06.2009 JP
Title (EN) RECONFIGURABLE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR RECONFIGURABLE
(JA) 再構成可能な半導体デバイス
Abstract: front page image
(EN)A non-volatile register is provided with: a first magnetoresistive element, one terminal of which is connected to a first terminal; a second magnetoresistive element, one terminal of which is connected to the first terminal; a first switch unit which connects the other terminal of the first magnetoresistive element to a power supply line; a second switch unit which connects the other terminal of the second magnetoresistive element to a ground line; a current feeding unit which, in response to input data of a data input terminal, feeds current to a current path near the first magnetoresistive element and second magnetoresistive element; and a data transmission unit which outputs, from a data output terminal, output data corresponding to the voltage of the first terminal. The non-volatile register has a first operation in which the current feeding unit feeds current to the current path in response to input data so that the first magnetoresistive element and second magnetoresistive element memorize the complementary magnetized states, and a second operation in which the data transmission unit outputs, from the data output terminal, output data corresponding to the voltage of the first terminal.
(FR)Un registre non volatil comprend : un premier élément de magnétorésistance dont une borne est connectée à une première borne ; un second élément de magnétorésistance dont une borne est connectée à la première borne ; une première unité de commutation qui connecte l'autre borne du premier élément de magnétorésistance à une ligne d'alimentation électrique ; une seconde unité de commutation qui connecte l'autre borne du second élément de magnétorésistance à une ligne de terre ; une unité d'alimentation en courant qui, en réponse aux données d'entrée d'un terminal d'entrée de données, alimente en courant un trajet de courant proche du premier élément de magnétorésistance et du second élément de magnétorésistance ; et une unité de transmission de données qui émet, à partir d'un terminal de sortie de données, les données de sortie correspondant à la tension de la première borne. Le registre non volatil présente un premier mode de fonctionnement dans lequel l'unité d'alimentation en courant alimente en courant le trajet de courant en réponse aux données d'entrée de telle manière que le premier élément de magnétorésistance et le second élément de magnétorésistance mémorisent les états magnétisés complémentaires, et un second mode de fonctionnement dans lequel l'unité de transmission de données émet, à partir du terminal de sortie de données, les données de sortie correspondant à la tension de la première borne.
(JA)不揮発性レジスタは、一方の端子を第1端子に接続された第1磁気抵抗素子と、一方の端子を第1端子に接続された第2磁気抵抗素子と、第1磁気抵抗素子の他方の端子と電源線とを接続する第1スイッチ部と、第2磁気抵抗素子の他方の端子と接地線とを接続する第2スイッチ部と、データ入力端子の入力データに応答して、第1磁気抵抗素子及び第2磁気抵抗素子近傍の電流経路に電流を供給する電流供給部と、第1端子の電圧に対応する出力データを、データ出力端子から出力するデータ伝送部とを備える。電流供給部が入力データに応じて第1磁気抵抗素子及び第2磁気抵抗素子の各々が相補の磁化状態を記憶するように電流経路に電流を供給する第1動作と、データ伝送部が第1端子の電圧に対応する出力データを前記データ出力端子から出力する第2動作とを有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)