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Pub. No.:    WO/2010/150606    International Application No.:    PCT/JP2010/058646
Publication Date: 29.12.2010 International Filing Date: 21.05.2010
H01L 31/04 (2006.01)
Applicants: Mitsubishi Electric Corporation [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP) (For All Designated States Except US).
HAMAMOTO, Satoshi [--/JP]; (JP) (For US Only).
ISHIHARA, Takashi [--/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HAMAMOTO, Satoshi; (JP).
ISHIHARA, Takashi; (JP)
Agent: SAKAI, Hiroaki; Sakai International Patent Office, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
Priority Data:
PCT/JP2009/061425 23.06.2009 JP
(JA) 光起電力装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a photovoltaic device which is provided with: a first conductivity type semiconductor substrate (1) having an impurity diffused layer wherein a second conductivity type impurity element is diffused on one side; a reflection preventing film (4) formed on the impurity diffused layer; first electrodes (5) which penetrate the reflection preventing film (4) and are electrically connected to the impurity diffusion layer (3); a rear insulating film (8) which has a plurality of openings (8a) that reach the other side of the semiconductor substrate (1) and is formed on the other side of the semiconductor substrate (1); second electrodes (9) which are embedded at least in the openings (8a) and are electrically connected to the other side of the semiconductor substrate (1); and a rear reflecting film (10), which is composed of a metal film formed by means of a vapor-phase deposition method or is constituted by including a metal foil, and is formed to cover over at least the rear insulating film (8).
(FR)L'invention porte sur un dispositif photovoltaïque qui comprend : un substrat semi-conducteur d'un premier type de conductivité (1) ayant une couche à impuretés diffusées dans laquelle un élément d'impureté d'un second type de conductivité est diffusé sur un côté ; un film antireflet (4) formé sur la couche à impuretés diffusées ; des premières électrodes (5) qui pénètrent dans le film antireflet (4) et sont électriquement connectées à la couche à impuretés diffusées (3) ; un film isolant arrière (8) qui comporte une pluralité d'ouvertures (8a) qui atteignent l'autre côté du substrat semi-conducteur (1) et est formé sur l'autre côté du substrat semi-conducteur (1) ; des secondes électrodes (9) qui sont incorporées au moins dans les ouvertures (8a) et sont électriquement connectées à l'autre côté du substrat semi-conducteur (1) ; et un film réfléchissant arrière (10), qui est composé d'un film métallique formé au moyen d'un procédé de dépôt en phase vapeur ou est constitué par inclusion d'une feuille métallique, et est formé pour couvrir au moins le film isolant arrière (8).
(JA) 一面側に第2導電型の不純物元素が拡散された不純物拡散層を有する第1導電型の半導体基板1と、前記不純物拡散層上に形成された反射防止膜4と、前記反射防止膜4を貫通して前記不純物拡散層3に電気的に接続する第1電極5と、前記半導体基板1の他面側に達する複数の開口部8aを有して前記半導体基板1の他面側に形成された裏面絶縁膜8と、少なくとも前記開口部8aに埋め込まれて前記半導体基板1の他面側に電気的に接続する第2電極9と、気相成長法によって形成される金属膜からなり、または金属箔を含んで構成され、少なくとも前記裏面絶縁膜8上を覆って形成された裏面反射膜10と、を備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)