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1. (WO2010150587) ELASTIC SURFACE WAVE SENSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/150587    International Application No.:    PCT/JP2010/056370
Publication Date: 29.12.2010 International Filing Date: 08.04.2010
IPC:
G01N 29/02 (2006.01), G01N 29/24 (2006.01)
Applicants: Murata Manufacturing Co., Ltd. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (For All Designated States Except US).
NISHIYAMA Kenji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUZUKI Yusuke [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ITO Shigeo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KADOTA Michio [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NISHIYAMA Kenji; (JP).
SUZUKI Yusuke; (JP).
ITO Shigeo; (JP).
KADOTA Michio; (JP)
Agent: YAMAMOTO Toshinori; SHINGIJUTSU PATENT OFFICE, Room 810, Kondo-bldg., 4-12, Nishitenma 4-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047 (JP)
Priority Data:
2009-150419 25.06.2009 JP
Title (EN) ELASTIC SURFACE WAVE SENSOR
(FR) DÉTECTEUR D'ONDES À SURFACE ÉLASTIQUE
(JA) 弾性表面波センサー
Abstract: front page image
(EN)Provided is an elastic surface wave sensor capable of improving the detection sensitivity. An elastic surface wave sensor (10) is equipped with (a) a piezoelectric substrate (12), (b) IDT electrodes (13) formed on the piezoelectric substrate (12), and (c) a protective film (14) formed on the piezoelectric substrate (12) in such a way as to cover the IDT electrodes (13). The elastic surface wave sensor (10) is configured such that due to the IDT electrodes (13), the plane-wise displacement of a surface (14s) of the protective film (14) is opposite to the plane-wise displacement of the vicinity of the boundary between the piezoelectric substrate (12) and the protective film (14), and that excitation is caused in a higher SH wave mode where the plane-wise displacement amount becomes the largest on the surface (14s) of the protective film (14).
(FR)L'invention concerne un détecteur d'ondes à surface élastique capable d'améliorer la sensibilité de détection. Le détecteur d'ondes à surface élastique (10) est équipé de (a) un substrat piézoélectrique (12), (b) des électrodes IDT (13) formées sur le substrat piézoélectrique (12), et (c) un film protecteur (14) formé sur le substrat piézoélectrique (12) de façon à couvrir les électrodes IDT (13). Le capteur d'ondes à surface élastique (10) est conçu de telle sorte que grâce aux électrodes IDT (13), le déplacement dans le plan d'une surface (14s) du film protecteur (14) soit opposé au déplacement dans le plan du voisinage de la frontière entre le substrat piézoélectrique (12) et le film protecteur (14), et que l'excitation soit provoquée dans un mode d'onde SH supérieur lorsque la quantité de déplacement dans le plan devient la plus importante sur la surface (14s) du film protecteur (14).
(JA) 検出感度を向上させることができる弾性表面波センサーを提供する。 弾性表面波センサー10は、(a)圧電基板12と、(b)圧電基板12上に形成されたIDT電極13と、(c)圧電基板12上に、IDT電極13を覆うように形成された保護膜14とを備える。弾性表面波センサー10は、IDT電極13により、保護膜14の表面14sの面方向の変位が圧電基板12と保護膜14との境界付近の面方向の変位とは逆向きになり、かつ保護膜14の表面14sにおいて面方向の変位量が最大となるSH波の高次モードで励振されるように構成されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)