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1. (WO2010150331) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/150331    International Application No.:    PCT/JP2009/006997
Publication Date: 29.12.2010 International Filing Date: 18.12.2009
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
MAKITA, Tsuyoshi; (For US Only)
Inventors: MAKITA, Tsuyoshi;
Agent: MAEDA, Hiroshi; (JP)
Priority Data:
2009-149431 24.06.2009 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device, which comprises: a step (a) for forming an insulating film (101a) that contains a high dielectric constant film; a step (b) for forming a first conductive film (102a) that is provided with an oxide film (103a) on the upper surface and contains either a high melting point metal and/or a compound of a high melting point metal; a step (c) for forming a second conductive film (104a), which contains silicon, on the first conductive film (102a) with the oxide film (103a) interposed therebetween; a step (d) for forming a mixing layer (103b) by implanting ions into the first conductive film (102a) and the second conductive film (104a) and mixing the constituent materials of the oxide film (103a) with silicon in the second conductive film (104a); and a step (e) for converting the mixing layer (103b) into a conductive layer (103c) by performing a heat treatment.
(FR)La présente invention a trait à un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur qui comprend : une étape (a) consistant à former un film isolant (101a) qui contient un film à constante diélectrique élevée ; une étape (b) consistant à former un premier film conducteur (102a) qui est pourvu d'un film d'oxyde (103a) sur la surface supérieure et qui contient un métal à point de fusion élevé et/ou un composé d'un métal à point de fusion élevé ; une étape (c) consistant à former un second film conducteur (104a), qui contient du silicium, sur le premier film conducteur (102a), le film d'oxyde (103a) étant interposé entre ces derniers ; une étape (d) consistant à former une couche de mélange (103b) en implantant des ions dans le premier film conducteur (102a) et le second film conducteur (104a) et en mélangeant les composants du film d'oxyde (103a) avec du silicium dans le second film conducteur (104a) ; et une étape (e) consistant à convertir la couche de mélange (103b) en une couche conductrice (103c) en effectuant un traitement thermique.
(JA) 半導体装置の製造方法は、高誘電率膜を含む絶縁膜101aを形成する工程(a)と、上面に酸化膜が形成され、高融点金属または高融点金属の化合物の少なくとも一方を含む第1の導電膜102aを形成する工程(b)と、酸化膜103aを間に挟んで第1の導電膜102a上に、シリコンを含む第2の導電膜104aを形成する工程(c)と、第1の導電膜102aおよび第2の導電膜104aに対してイオン注入を行い、酸化膜103aの構成材料を前記第2の導電膜104a中のシリコンと混合させてミキシング層103bを形成する工程(d)と、熱処理を行ってミキシング層103bを導電層103cにする工程(e)とを備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)