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1. (WO2010150134) METHOD FOR TREATING A SEMICONDUCTOR WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/150134    International Application No.:    PCT/IB2010/052646
Publication Date: 29.12.2010 International Filing Date: 14.06.2010
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: LAM RESEARCH AG [AT/AT]; SEZ-Strasse 1 A-9500 Villach (AT) (For All Designated States Except US).
LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, California CA-94538 (US) (BZ only).
XU, Kaidong [BE/AT]; (AT) (For US Only)
Inventors: XU, Kaidong; (AT)
Agent: KONTRUS, Gerhard; SEZ-Strasse 1 A-9500 Villach (AT)
Priority Data:
A 989/2009 25.06.2009 AT
Title (EN) METHOD FOR TREATING A SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT D'UNE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)Disclosed is a method for treating semiconductor wafer comprising: - providing a stack comprising: - a high-k layer comprising a first oxide material, wherein the first oxide material contains hafnium and/or zirconium, and - a cap-layer comprising a second oxide material, wherein the cap-layer has been deposited on top of the high-k layer, wherein the second oxide material contains lanthanum, a lanthanide and/or aluminium, - conducting a step SA wherein a liquid A is supplied to the surface of the semiconductor wafer, wherein liquid A is an aqueous solution containing an oxidizing agent, - conducting a step SB wherein a liquid B is supplied to the surface of the semiconductor wafer, wherein step SB is carried out after step SA, wherein liquid B is a liquid with a pH-value lower than 6, and - conducting a step SC wherein a liquid C is supplied to the surface of the semiconductor wafer, wherein step SC is carried out after step SB, wherein liquid C is an aqueous acidic solution with a fluorine concentration of at least 10 ppm.
(FR)L'invention porte sur un procédé de traitement d'une tranche de semi-conducteur consistant à : utiliser un empilement comprenant : une couche à constante diélectrique élevée comprenant un premier matériau oxyde, le premier matériau oxyde contenant de l'hafnium et/ou du zirconium, et une couche de recouvrement comprenant un second matériau oxyde, la couche de recouvrement ayant été déposée au-dessus de la couche à constante diélectrique élevée, le second matériau oxyde contenant du lanthane, un lanthanide et/ou de l'aluminium ; exécuter une étape SA à laquelle un liquide A est amené à la surface de la tranche de semi-conducteur, le liquide A étant une solution aqueuse contenant un agent oxydant ; exécuter une étape SB à laquelle un liquide B est amené à la surface de la tranche de semi-conducteur, l'étape SB étant réalisée après l'étape SA, le liquide B étant un liquide ayant une valeur de pH inférieure à 6 ; et exécuter une étape SC à laquelle un liquide C est amené à la surface de la tranche de semi-conducteur, l'étape SC étant réalisée après l'étape SB, le liquide C étant une solution acide aqueuse ayant une concentration en fluor d'au moins 10 ppm.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)