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1. (WO2010149616) TRANSPARENT RECTIFYING METAL/METAL OXIDE/SEMICONDUCTOR CONTACT STRUCTURE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF AND USE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/149616    International Application No.:    PCT/EP2010/058726
Publication Date: 29.12.2010 International Filing Date: 21.06.2010
IPC:
H01L 31/108 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: Universität Leipzig [DE/DE]; Ritterstr. 26 04109 Leipzig (DE) (For All Designated States Except US).
GRUNDMANN, Marius [DE/DE]; (DE) (For US Only).
FRENZEL, Heiko [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LAJN, Alexander [DE/DE]; (DE) (For US Only).
VON WENCKSTERN, Holger [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: GRUNDMANN, Marius; (DE).
FRENZEL, Heiko; (DE).
LAJN, Alexander; (DE).
VON WENCKSTERN, Holger; (DE)
Agent: STÖTTER, Gerd; Bamberger Str. 49 01187 Dresden (DE)
Priority Data:
10 2009 030 045.7 22.06.2009 DE
Title (DE) TRANSPARENTE GLEICHRICHTENDE METALL-METALLOXID-HALBLEITERKONTAKTSTRUKTUR UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG UND VERWENDUNG
(EN) TRANSPARENT RECTIFYING METAL/METAL OXIDE/SEMICONDUCTOR CONTACT STRUCTURE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF AND USE
(FR) STRUCTURE DE CONTACT À SEMI-CONDUCTEURS MÉTAL-OXYDE MÉTALLIQUE DE REDRESSEMENT TRANSPARENTE, PROCÉDÉ DE FABRICATION ET UTILISATION DE LADITE STRUCTURE DE CONTACT
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft transparente gleichrichtende Kontaktstrukturen zur Anwendung in elektronischen Bauteilen, insbesondere der Optoelektronik, Solartechnik und Sensorik sowie einen Verfahren zu deren Herstellung. Die erfindungsgemäße transparente gleichrichtende Kontaktstruktur weist folgende Bestandteile auf: a) einen transparenten Halbleiter, b) eine transparente, nicht isolierende und nicht leitende Schicht aus Metalloxid, Metallsulfid und/oder Metallnitrid, deren spezifischer Widerstand bevorzugt im Bereich von 102 Ωcm bis 107 Ωcm liegt und c) eine Schicht aus einem transparenten elektrischen Leiter wobei die Schicht b) zwischen dem Halbleiter a) und der Schicht c) ausgebildet ist und die Zusammensetzung der Schicht b) in der Patentbeschreibung näher definiert ist.
(EN)The invention relates to transparent rectifying contact structures for application in electronic devices, in particular appertaining to optoelectronics, solar technology and sensor technology, and also a method for the production thereof. The transparent rectifying contact structure according to the invention has the following constituents: a) a transparent semiconductor, b) a transparent, non-insulating and non-conducting layer composed of metal oxide, metal sulphide and/or metal nitride, the resistivity of which is preferably in the range of 102 Ωcm to 107 Ωcm and c) a layer composed of a transparent electrical conductor wherein the layer b) is formed between the semiconductor a) and the layer c) and the composition of the layer b) is defined in greater detail in the description of the patent.
(FR)L'invention concerne des structures de contact de redressement transparentes destinées à être utilisées dans des composants électroniques, en particulier du type employé en optoélectronique, en héliotechnique et en technologie des capteurs, ainsi qu'un procédé de fabrication de ces structures. Selon l'invention, la structure de contact de redressement transparente comprend les éléments suivants : a) un semi-conducteur transparent, b) une couche transparente, non isolante et non conductrice d'oxyde métallique, de sulfure métallique et/ou de nitrure métallique, dont la résistance spécifique est de préférence située dans une plage de 102 à 107 Ωcm et c) une couche faite d'un conducteur électrique transparent. La couche b) est formée entre le semi-conducteur a) et la couche c) et la composition de la couche b) est définie de manière plus précise dans la description du brevet.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)