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1. (WO2010148922) METHOD AND DEVICE FOR ACCESSING DATA IN NAND FLASH MEMORY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/148922    International Application No.:    PCT/CN2010/073520
Publication Date: 29.12.2010 International Filing Date: 03.06.2010
IPC:
G06F 12/08 (2006.01)
Applicants: ZTE CORPORATION [CN/CN]; ZTE Plaza, Keji Road South, Hi-Tech Industrial Park, Nanshan Shenzhen, Guangdong 518057 (CN) (For All Designated States Except US).
LI, Xianjun [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: LI, Xianjun; (CN)
Agent: CHINA PAT INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; Suite 717, E-Wing Center No. 113 Zhichun Road Haidian District Beijing 100086 (CN)
Priority Data:
200910224156.7 24.11.2009 CN
Title (EN) METHOD AND DEVICE FOR ACCESSING DATA IN NAND FLASH MEMORY
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF D'ACCÈS À DES DONNÉES DANS UNE MÉMOIRE FLASH NAND
(ZH) 一种访问NAND闪存数据的方法和装置
Abstract: front page image
(EN)A method for accessing data in Nand flash memory is provided, which includes: creating a Nand buffer; when accessing the data in the Nand flash memory, according to the linear address of the Nand flash memory to be accessed, calculating the physical block number (WriteBlockNum) of the Nand flash memory to be accessed firstly; and then according to the WriteBlockNum and the hit block number in the management information of each buffer block, judging whether the buffer block in the Nand buffer is hit or missed, if it being hit, then accessing the hit buffer block; if it being missed, then applying for a buffer block when the access being a write operation, and recording the WriteBlockNum in the hit block number, and performing the write operation to the buffer block; and when the access being a read operation, reading the data from the Nand flash memory directly. A device for accessing data in Nand flash memory is also provided. With the scheme of the present invention, the read/write speed of the Nand flash memory can be improved greatly.
(FR)L'invention porte sur un procédé d'accès à des données dans une mémoire flash Nand, comprenant les opérations consistant à : créer une mémoire tampon Nand ; lors de l'accès aux données dans la mémoire flash Nand, selon l'adresse linéaire de la mémoire flash Nand à laquelle il doit être accédé, calculer d'abord le nombre de blocs physiques (WriteBlockNum) de la mémoire flash Nand à laquelle il doit être accédé ; puis, selon le WriteBlockNum et le nombre de blocs atteints dans les informations de gestion de chaque bloc de mémoire tampon, déterminer si le bloc tampon dans le tampon Nand est atteint ou manqué, et s'il est atteint, accéder alors au bloc de tampon atteint ; s'il est manqué, appliquer alors un bloc de mémoire tampon lorsque l'accès est une opération d'écriture, et enregistrer le WriteBlockNum dans le numéro de bloc atteint, et exécuter l'opération d'écriture dans le bloc de mémoire tampon ; et lorsque l'accès est une opération de lecture, lire directement les données à partir de la mémoire flash Nand. L'invention porte également sur un dispositif d'accès à des données dans une mémoire flash Nand. Au moyen du schéma de la présente invention, on peut beaucoup améliorer la vitesse de lecture/écriture de la mémoire flash Nand.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)