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1. (WO2010148369) DETECTION CIRCUIT FOR OVERDRIVE CONDITIONS IN A WIRELESS DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/148369    International Application No.:    PCT/US2010/039275
Publication Date: 23.12.2010 International Filing Date: 18.06.2010
IPC:
H03F 1/30 (2006.01), H03F 3/19 (2006.01), H03G 3/30 (2006.01), H04B 1/04 (2006.01)
Applicants: QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International Ip Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121 (US) (For All Designated States Except US).
SUDJIAN, Douglas [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SUDJIAN, Douglas; (US)
Agent: MOBARHAN, Ramin; Attn: International Ip Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, Califonia 92121 (US)
Priority Data:
12/487,549 18.06.2009 US
Title (EN) DETECTION CIRCUIT FOR OVERDRIVE CONDITIONS IN A WIRELESS DEVICE
(FR) CIRCUIT DE DÉTECTION DE CONDITIONS DE SURCHARGE DANS UN DISPOSITIF SANS FIL
Abstract: front page image
(EN)A detection circuit that can accurately detect signal peak is described. In an exemplary design, the detection circuit includes a bias voltage generator and a MOS transistor. The bias voltage generator provides a bias voltage as a function of temperature. The MOS transistor receives an input RF signal and the bias voltage and provides a rectified signal, which may be a linear function of the input RF signal and may have reduced deviation with temperature due to the bias voltage. The bias voltage generator may generate the bias voltage based on a temperature-dependent current having a slope selected to reduce deviation in the rectified signal with temperature. An offset canceller may cancel a reference voltage from the rectified signal and provide an output signal. A bulk bias generator may generate a bulk voltage for the bulk of the MOS transistor as a function of temperature to improve operating speed at higher temperature.
(FR)L'invention porte sur un circuit de détection qui peut détecter de manière précise une crête de signal. Dans une conception à titre d'exemple, le circuit de détection comprend un générateur de tension de polarisation et un transistor MOS. Le générateur de tension de polarisation fournit une tension de polarisation en fonction de la température. Le transistor MOS reçoit un signal RF d'entrée et la tension de polarisation et fournit un signal redressé, qui peut être une fonction linéaire du signal RF d'entrée et peut avoir un écart réduit avec la température en raison de la tension de polarisation. Le générateur de tension de polarisation peut générer la tension de polarisation sur la base d'un courant dépendant de la température ayant une pente sélectionnée pour réduire l'écart dans le signal redressé avec la température. Un dispositif d'annulation de décalage peut annuler une tension de référence à partir du signal redressé et fournir un signal de sortie. Un générateur de polarisation de substrat peut générer une tension de substrat pour le substrat du transistor MOS en fonction de la température pour améliorer une vitesse de fonctionnement à une température supérieure.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)