WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2010147937) ENHANCING NAND FLASH FLOATING GATE PERFORMANCE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/147937    International Application No.:    PCT/US2010/038604
Publication Date: 23.12.2010 International Filing Date: 15.06.2010
IPC:
H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (For All Designated States Except US).
SWENBERG, Johanes [US/US]; (US) (For US Only).
CHU, David [US/US]; (US) (For US Only).
GUARINI, Theresa Kramer [US/US]; (US) (For US Only).
CHO, Yonah [US/US]; (US) (For US Only).
GANGULY, Udayan [US/US]; (US) (For US Only).
DATE, Lucien [CI/BE]; (BE) (For US Only)
Inventors: SWENBERG, Johanes; (US).
CHU, David; (US).
GUARINI, Theresa Kramer; (US).
CHO, Yonah; (US).
GANGULY, Udayan; (US).
DATE, Lucien; (BE)
Agent: PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, L.L.P. 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500 Houston, Texas 77056-6582 (US)
Priority Data:
61/187,208 15.06.2009 US
Title (EN) ENHANCING NAND FLASH FLOATING GATE PERFORMANCE
(FR) AMÉLIORATION DES PERFORMANCES D'UNE GRILLE FLOTTANTE DE MÉMOIRE FLASH DE TYPE NON-ET
Abstract: front page image
(EN)Embodiments described herein generally relate to flash memory devices and methods for manufacturing flash memory devices. In one embodiment, a method for selective removal of nitrogen from the nitrided areas of a substrate is provided. The method comprises positioning a substrate comprising a material layer disposed adjacent to an oxide containing layer in a processing chamber, exposing the substrate to a nitridation process to incorporate nitrogen onto the material layer and the exposed areas of the oxide containing layer, and exposing the nitrided material layer and the nitrided areas of the oxide containing layer to a gas mixture comprising a quantity of a hydrogen containing gas and a quantity of an oxygen containing gas to selectively remove nitrogen from the nitrided areas of the oxide containing layer relative to the nitrided material layer using a radical oxidation process.
(FR)Les modes de réalisation décrits ici portent d'une manière générale sur des dispositifs de mémoire flash et sur des procédés de fabrication de dispositifs de mémoire flash. Dans un certain mode de réalisation, l'invention porte sur un procédé de retrait sélectif d'azote à partir des zones nitrurées d'un substrat. Le procédé comprend le positionnement d'un substrat comprenant une couche de matériau adjacente à une couche contenant de l'oxyde dans une chambre de traitement, l'exposition du substrat à un processus de nitruration afin d'incorporer de l'azote dans la couche de matériau et les zones exposées de la couche contenant de l'oxyde, et l'exposition de la couche de matériau nitrurée et des zones nitrurées de la couche contenant de l'oxyde à un mélange de gaz comprenant une certaine quantité d'un gaz contenant de l'hydrogène et une certaine quantité d'un gaz contenant de l'oxygène afin d'éliminer sélectivement l'azote des zones nitrurées de la couche contenant de l'oxyde par rapport à la couche de matériau nitrurée à l'aide d'un processus d'oxydation par radicaux.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)