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1. (WO2010147772) METHODS OF FORMING MICROMECHANICAL RESONATORS HAVING HIGH DENSITY TRENCH ARRAYS THEREIN THAT PROVIDE PASSIVE TEMPERATURE COMPENSATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2010/147772    International Application No.:    PCT/US2010/037429
Publication Date: 23.12.2010 International Filing Date: 04.06.2010
IPC:
H03H 3/007 (2006.01), H03H 9/02 (2006.01)
Applicants: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION [US/US]; Georgia Institute of Technology 505 Tenth Street, NW Atlanta, GA 30332-0415 (US) (For All Designated States Except US).
AYAZI, Farrokh [US/US]; (US) (For US Only).
TABRIZIAN, Roozbeh [IR/US]; (US) (For US Only).
CASINOVI, Giorgio [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: AYAZI, Farrokh; (US).
TABRIZIAN, Roozbeh; (US).
CASINOVI, Giorgio; (US)
Agent: MYERS BIGEL SIBLEY & SAJOVEC, P.A.; P.O. Box 37428 Raleigh, NC 27627 (US)
Priority Data:
61/218,518 19.06.2009 US
61/314,290 16.03.2010 US
Title (EN) METHODS OF FORMING MICROMECHANICAL RESONATORS HAVING HIGH DENSITY TRENCH ARRAYS THEREIN THAT PROVIDE PASSIVE TEMPERATURE COMPENSATION
(FR) PROCÉDÉS DE FORMATION DE RÉSONATEURS MICROMÉCANIQUES CONTENANT DES MATRICES DE TRANCHÉES À HAUTE DENSITÉ RÉALISANT UNE COMPENSATION DE TEMPÉRATURE PASSIVE
Abstract: front page image
(EN)A method of forming a micromechanical resonator includes forming a resonator body (12) anchored to a substrate (10) by at least a first anchor (12a, 12b). This resonator body may include a semiconductor or other first material having a negative temperature coefficient of elasticity (TCE). A two-dimensional array of spaced-apart trenches (14) are provided in the resonator body. These trenches may be filled with an electrically insulating or other second material (16a) having a positive TCE. The array of trenches may extend uniformly across the resonator body, including regions in the body that have relatively high and low mechanical stress during resonance. This two-dimensional array (or network) of trenches can be modeled as a network of mass-spring systems with springs in parallel and/or in series with respect to a direction of a traveling acoustic wave within the resonator body during resonance.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un résonateur micromécanique, comportant l'étape de formation d'un corps (12) de résonateur ancré à un substrat (10) par au moins un premier ancrage (12a, 12b). Ce corps de résonateur peut comporter un premier matériau semiconducteur ou autre possédant un coefficient de température d'élasticité (TCE) négatif. Une matrice bidimensionnelle de tranchées espacées (14) est ménagée dans le corps de résonateur. Ces tranchées peuvent être remplies d'un deuxième matériau électriquement isolant ou autre (16a) possédant un TCE positif. La matrice de tranchées peut s'étendre uniformément en travers du corps de résonateur, notamment dans des régions du corps sièges de contraintes mécaniques relativement élevées et faibles durant la résonance. Cette matrice (ou réseau) bidimensionnelle de tranchées peut être modélisée sous la forme d'un réseau de systèmes masse-ressort, les ressorts étant en parallèle et/ou en série par rapport à une direction de propagation d'une onde acoustique dans le corps de résonateur durant la résonance.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)